- 专利标题： Ga2O3 SEMICONDUCTOR ELEMENT
-
申请号： EP12829607.6申请日： 2012-09-07
-
公开(公告)号： EP2765612B1公开(公告)日： 2021-10-27
- 发明人: SASAKI, Kohei , HIGASHIWAKI, Masataka
- 专利权人： Tamura Corporation,National Institute of Information and Communications Technology
- 当前专利权人： Tamura Corporation,National Institute of Information and Communications Technology
- 当前专利权人地址： 1-19-43 Higashi-Oizumi Nerima-ku Tokyo 178-8511 JP; 4-2-1 Nukui-Kitamachi Koganei-shi Tokyo 184-8795 JP
- 代理机构： TBK
- 优先权： JP2011196435 20110908
- 国际公布： WO2013035842 20130314
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/20 ; H01L21/336 ; H01L21/338 ; H01L29/26 ; H01L29/812 ; H01L21/02 ; H01L29/772 ; H01L29/78 ; H01L29/24 ; H01L29/36
公开/授权文献
- EP2765612A1 Ga2O3 SEMICONDUCTOR ELEMENT 公开/授权日：2014-08-13
信息查询
IPC分类:
