发明授权
EP2841630B1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING INDIUM OXIDE (In203) SINGLE CRYSTALS AND INDIUM OXIDE (In203) SINGLE CRYSTAL
有权
METHOD AND APPARATUS FOR GROWING氧化铟（IN203）单晶氧化物和氧化铟（IN203）单晶
- 专利标题： METHOD AND APPARATUS FOR GROWING INDIUM OXIDE (In203) SINGLE CRYSTALS AND INDIUM OXIDE (In203) SINGLE CRYSTAL
- 专利标题（中）： METHOD AND APPARATUS FOR GROWING氧化铟（IN203）单晶氧化物和氧化铟（IN203）单晶
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申请号： EP12717273.2申请日： 2012-04-24
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公开(公告)号： EP2841630B1公开(公告)日： 2017-04-12
- 发明人: GALAZKA, Zbigniew , UECKER, Reinhard , FORNARI, Roberto
- 申请人： Forschungsverbund Berlin E.V.
- 申请人地址： Rudower Chaussee 17 12489 Berlin DE
- 专利权人： Forschungsverbund Berlin E.V.
- 当前专利权人： Forschungsverbund Berlin E.V.
- 当前专利权人地址： Rudower Chaussee 17 12489 Berlin DE
- 代理机构： Wablat Lange Karthaus
- 国际公布： WO2013159808 20131031
- 主分类号： C30B11/00
- IPC分类号： C30B11/00 ; C30B11/14 ; C30B29/16 ; C30B30/04 ; H01F1/01
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