利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

52 条记录 (耗时 0.019 秒)

    Silicon single crystal and method for manufacture thereof
    4.
    发明公开
    Silicon single crystal and method for manufacture thereof 审中-公开
    Siliciumeinkristall和Herstellungsverfahrendafür

    公开(公告)号：EP2824222A1

    公开(公告)日：2015-01-14

    申请号：EP14176279.9

    申请日：2014-07-09

    申请人： GlobalWafers Japan Co., Ltd.

    发明人： Nagai, Yuta ,  Nakagawa, Satoko ,  Kashima, Kazuhiko

    IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B15/30 ,  C30B27/02 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04

    CPC分类号： C30B15/203 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B15/30 ,  C30B15/305 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L29/16 ,  H01L29/7393

    摘要： A silicon single crystal manufacturing method includes:
    applying a transverse magnetic field to a melt of polysilicon with a carbon concentration of at most 1.0 × 10 15 atoms/cm 3 as a raw material; rotating the crucible at 5.0 rpm or less; allowing inert gas to flow at rate A (m/sec) of formula (1) at a position 20-50% of Y above the melt surface; controlling the rate A within the range of 0.2 to 5, 000/d (m/sec) (d: crystal diameter (mm));
    and reducing the total power of side and bottom heaters by 3 to 30% and the side heater power by 5 to 45% until the solidified fraction reaches 30%. A = Q ⋅ 760 1000 ⋅ 60 ⋅ P ⋅ α / π ⋅ X ⋅ Y ⋅ 10 6
    Q: Inert gas volumetric flow rate (L/min)
    P: Pressure (Torr) in furnace
    X: Radiation shield opening diameter
    Y: Distance (mm) from raw material melt surface to radiation shield lower end
    α : Correction coefficient

    摘要翻译： 硅单晶制造方法包括：以碳浓度为1.0×10 15原子/ cm 3以下的多晶硅熔体作为原料施加横向磁场; 使坩埚以5.0rpm或更小的速度旋转; 允许惰性气体在熔体表面上方的20-50％的位置以式（1）的速率A（m / sec）流动; 控制速度A在0.2〜5000 / d（m / sec）（d：晶体直径（mm））的范围内; 并将侧加热器和底部加热器的总功率降低3至30％，侧加热器功率降低5至45％，直到固化部分达到30％。 A = Q <760 1000 <60

    Ringförmiger Widerstandsheizer zum Zuführen von Wärme zu einem wachsenden Einkristall
    5.
    发明公开
    Ringförmiger Widerstandsheizer zum Zuführen von Wärme zu einem wachsenden Einkristall 有权
    环形电阻加热器，用于向生长的单晶供给热量

    公开(公告)号：EP2546392A1

    公开(公告)日：2013-01-16

    申请号：EP12174541.8

    申请日：2012-07-02

    申请人： Siltronic AG

    发明人： Knerer, Dieter ,  Schachinger, Werner

    IPC分类号： C30B15/14 ,  C30B30/04 ,  C30B35/00

    CPC分类号： C30B15/14 ,  C30B30/04 ,  C30B35/00 ,  H05B3/40 ,  Y10T117/1068

    摘要： Ringförmiger Widerstandsheizer zum Zuführen von Wärme zu einem wachsenden Einkristall, umfassend einen oberen und einen unteren Ring, die angrenzend an einen Ringspalt des unteren Rings mittels einer Schleife elektrisch leitend verbunden sind, so dass die Fließrichtung von elektrischem Strom, der durch die Ringe geleitet wird, in den Ringen entgegengesetzt ist; Verbindungselemente, die den oberen und den unteren Ring auf Abstand zusammenhalten; und
    Stromzuführungen zum Leiten von elektrischem Strom durch den oberen und den unteren Ring.

    摘要翻译： 环形电阻加热器包括：上环（1）和下环（2），其连接到所述下环邻近于环形设计间隙（3）通过在导电环（4）检查没有电流的流动方向 通过在环中的相反方向的引导环; 连接哪个保持上和下环一起以一定距离，该距离为2-150毫米元件; 和电源线（11），用于通过上部和下部环传导电流。

    PROCEDE DE CRISTALLOGENESE D'UN MATERIAU ELECTRIQUEMENT CONDUCTEUR A L'ETAT FONDU
    6.
    发明公开
    PROCEDE DE CRISTALLOGENESE D'UN MATERIAU ELECTRIQUEMENT CONDUCTEUR A L'ETAT FONDU 审中-公开
    维也纳ZURKGENZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZZ

    公开(公告)号：EP2262932A1

    公开(公告)日：2010-12-22

    申请号：EP09715571.7

    申请日：2009-02-27

    申请人： Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) ,  Institut Polytechnique de Grenoble

    发明人： DUFFAR, Thierry ,  VIAN, Gilbert

    IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/40 ,  C30B30/04

    CPC分类号： C30B11/007 ,  C30B11/003 ,  C30B29/40 ,  C30B30/04 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092

    摘要： The invention relates to a method for the crystallogenesis of a material that is electrically conducting at the molten state, by drawing from a molten mass of said material in a crucible (1), that comprises: progressively subjecting the molten material to a decreasing temperature so that a liquid-solid interface is formed; controlling the flatness of the liquid-solid interface of the material; subjecting the molten material, before and during solidification, to an electromagnetic kneading; said method being characterised in that the electromagnetic kneading is obtained by applying an alternating magnetic field. The invention also relates to a device for implementing said method.

    摘要翻译： 本发明涉及一种在熔融状态下导电的材料的结晶生成方法，该方法是通过从坩埚中的材料的熔融物质中拉出，其包括：逐渐使熔融材料温度降低，使得液体 形成固体界面; 控制材料的液 - 固界面的平整度; 在凝固之前和期间对熔融材料进行电磁捏合; 该方法包括通过施加交变磁场获得电磁捏合。 本公开还涉及一种用于实现该方法的设备。

    SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS AND METHOD THEREOF
    7.
    发明公开
    SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS AND METHOD THEREOF 审中-公开
    VORRICHTUNG UND VEFAHREN ZUM ZIEHEN VON SILICIUMEINKRISTALLEN

    公开(公告)号：EP1908861A1

    公开(公告)日：2008-04-09

    申请号：EP05767033.3

    申请日：2005-07-27

    申请人： SUMCO Corporation

    发明人： FU, Senlin, c/o SUMCO CORPORATION ,  ONO, Naoki, c/o SUMCO CORPORATION

    IPC分类号： C30B29/06 ,  C30B30/04

    CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/305 ,  Y10T117/1072

    摘要： A quartz crucible which stores a silicon melt is rotated at a predetermined rotation speed, and a silicon single crystal ingot pulled from the melt is rotated at a predetermined rotation speed. A first coil and a second coil are installed with a predetermined spacing in between such that a center of each of the coils corresponds to a rotation center of the crucible. A magnetic field is generated by energizing electric currents in the first and second coils in the same direction. The first coil is installed outside the chamber and the second coil is installed inside the chamber. A center position of the predetermined spacing between the first coil and the second coil is controlled at the same or a lower level as the surface of the silicon melt such that a distance of the center position from the surface of the silicon melt is 0 mm or more and 10000 mm or less.

    摘要翻译： 存储硅熔体的石英坩埚以预定旋转速度旋转，并且从熔体拉出的硅单晶锭以预定转速旋转。 第一线圈和第二线圈之间以预定的间隔安装，使得每个线圈的中心对应于坩埚的旋转中心。 通过在相同方向上激励第一和第二线圈中的电流来产生磁场。 第一线圈安装在腔室外部，第二线圈安装在腔室内。 将第一线圈和第二线圈之间的预定间隔的中心位置控制在与硅熔体的表面相同或更低的水平处，使得中心位置与硅熔体的表面的距离为0mm或 多于10000毫米或更小。