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    ARCUATE SEED CASTING METHOD
    1.
    发明公开
    ARCUATE SEED CASTING METHOD 审中-实审

    公开(公告)号：EP4306682A3

    公开(公告)日：2024-04-10

    申请号：EP23212780.3

    申请日：2020-10-05

    申请人： RTX Corporation

    发明人： SHAH, Dilip M. ,  BULLIED, Steven J. ,  BRENEMAN, Ryan C. ,  WOODARD, Shiela R. ,  VERNER, Carl R.

    IPC分类号： B22D27/04 ,  C30B11/14 ,  C30B29/52 ,  F01D5/02 ,  C30B11/00

    摘要： A casting method includes forming a seed (20, 800). The seed has a first end (24) and a second end (22) and an inner diameter (ID) surface (34) and an outer diameter (OD) surface (36). The seed second end (22) is placed in contact or spaced facing relation with a chill plate (102). The first end (24) is contacted with molten material (50). The molten material is cooled and solidified so that a crystalline structure of the seed (20) propagates into the solidifying material (50). At least a portion of the seed (20) contacted with the molten material (50) has a solidus higher than a solidus of at least an initial pour portion (910) of the molten material (50).

    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR
    3.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR 审中-公开

    公开(公告)号：EP3926078A1

    公开(公告)日：2021-12-22

    申请号：EP21179412.8

    申请日：2021-06-15

    申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

    发明人： PIHAN, Etienne ,  NEHARI, Abdeldjelil

    IPC分类号： C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B11/14 ,  C30B15/10 ,  C30B17/00

    摘要： Procédé de fabrication d'une pièce par solidification d'un matériau semi-conducteur Procédé de fabrication d'une pièce (70) comportant un col (40) et un fût (60) prolongeant le col, la pièce comportant une portion monocristalline représentant plus de 80 % de son volume, le procédé comportant les étapes de :
    i) fourniture d'un creuset (5) contenant un bain (20) comportant un matériau semi-conducteur en fusion choisi parmi le silicium, le germanium et leurs mélanges, et d'un germe (25) solide comportant le matériau semi-cristallin,
    ii) mise en contact du germe avec le bain,
    iii) formation du col en translatant le germe par rapport au bain pour extraire et solidifier le matériau semi-conducteur hors du bain, et
    iv) formation du fût en refroidissant le bain et en réduisant la vitesse de translation du germe par rapport à l'étape iii),
    la pièce présentant au moins une section, transverse à l'axe (X) de translation du germe, dont l'aire est supérieure ou égale à 0,15 m 2 .