发明公开
EP3084834A4 DUAL STRAINED CLADDING LAYERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
审中-公开
GESPANNTE DOPPELTE MANTELSCHICHTENFÜRHALBLEITERBAUELEMENTE
- 专利标题： DUAL STRAINED CLADDING LAYERS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
- 专利标题（中）： GESPANNTE DOPPELTE MANTELSCHICHTENFÜRHALBLEITERBAUELEMENTE
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申请号： EP13899827申请日： 2013-12-16
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公开(公告)号： EP3084834A4公开(公告)日： 2017-08-02
- 发明人: CEA STEPHEN M , KOTLYAR ROZA , KENNEL HAROLD W , KUHN KELIN J , GHANI TAHIR
- 申请人： INTEL CORP
- 专利权人： INTEL CORP
- 当前专利权人： INTEL CORP
- 优先权： US2013075437 2013-12-16
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L21/336 ; H01L21/8238 ; H01L29/10 ; H01L29/78
摘要：
Techniques and methods related to dual strained cladding layers for semiconductor devices, and systems incorporating such semiconductor devices.
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