- 专利标题： PATTERN BETWEEN PATTERN FOR LOW PROFILE SUBSTRATE
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申请号： EP15718725.3申请日： 2015-04-10
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公开(公告)号： EP3132469B1公开(公告)日： 2019-01-09
- 发明人: WE, Hong Bok , KIM, Chin-Kwan , KIM, Dong Wook , LEE, Jae Sik , HWANG, Kyu-Pyung , SONG, Young Kyu
- 申请人： Qualcomm Incorporated
- 申请人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 US
- 专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 US
- 代理机构： Howe, Steven
- 优先权： US201414253798 20140415
- 国际公布： WO2015160671 20151022
- 主分类号： H01L23/528
- IPC分类号： H01L23/528 ; H01L21/768 ; H01L23/498 ; H01L23/522 ; H01L21/48
公开/授权文献
- EP3132469A1 PATTERN BETWEEN PATTERN FOR LOW PROFILE SUBSTRATE 公开/授权日：2017-02-22
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