发明授权
- 专利标题： ANTIFUSE OTP MEMORY CELL WITH SELECT TRANSISTOR HAVING TWO GATE OXIDE THICKNESSES
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申请号： EP16186237.0申请日： 2015-03-19
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公开(公告)号： EP3139408B1公开(公告)日： 2020-06-24
- 发明人: WU, Meng-Yi , CHEN, Hsin-Ming , LU, Chun-Hung
- 申请人： eMemory Technology Inc.
- 申请人地址： Rm. 305 No. 47, Yuanqu 2nd Road Science-Based Industrial Park Hsinchu 300 TW
- 专利权人： eMemory Technology Inc.
- 当前专利权人： eMemory Technology Inc.
- 当前专利权人地址： Rm. 305 No. 47, Yuanqu 2nd Road Science-Based Industrial Park Hsinchu 300 TW
- 代理机构： 2K Patentanwälte Blasberg Kewitz & Reichel
- 优先权： US201461973867P 20140402
- 主分类号： H01L27/112
- IPC分类号： H01L27/112 ; H01L23/525 ; H01L29/93 ; G11C17/16 ; H01L29/423
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