MAGNETIC ELEMENT, SKYRMION MEMORY, SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE, DATA RECORDING DEVICE, DATA PROCESSOR AND COMMUNICATION DEVICE

发明公开

EP3166138A1 MAGNETIC ELEMENT, SKYRMION MEMORY, SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE, DATA RECORDING DEVICE, DATA PROCESSOR AND COMMUNICATION DEVICE 审中-公开

标题翻译：磁性元件，SKYRMIONSPEICHER，电子设备，数据记录装置，数据处理器及通信装置

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专利标题： MAGNETIC ELEMENT, SKYRMION MEMORY, SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE, DATA RECORDING DEVICE, DATA PROCESSOR AND COMMUNICATION DEVICE
专利标题（中）： 磁性元件，SKYRMIONSPEICHER，电子设备，数据记录装置，数据处理器及通信装置
申请号： EP15815321.3

申请日： 2015-06-30
公开(公告)号： EP3166138A1

公开(公告)日： 2017-05-10
发明人: NAGAOSA Naoto , KOSHIBAE Wataru , IWASAKI Junichi , KAWASAKI Masashi , TOKURA Yoshinori , KANEKO Yoshio
申请人： Riken
申请人地址： 2-1 Hirosawa Wako-shi, Saitama 351-0198 JP
专利权人： Riken
当前专利权人： Riken
当前专利权人地址： 2-1 Hirosawa Wako-shi, Saitama 351-0198 JP
代理机构： Patentanwälte Olbricht Buchhold Keulertz
优先权： JP2014139030 20140704
国际公布： WO2016002806 20160107
主分类号： H01L21/8246
IPC分类号： H01L21/8246 ; G11B5/65 ; G11C11/14 ; G11C11/15 ; H01F10/08 ; H01L27/105 ; H01L43/08

MAGNETIC ELEMENT, SKYRMION MEMORY, SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE, DATA RECORDING DEVICE, DATA PROCESSOR AND COMMUNICATION DEVICE

摘要：

Provided is a skyrmion memory circuit capable of circularly transferring a magnetic element skyrmion, comprising one or more current paths in a magnet having a closed-path pattern that are provided surrounding an end region including an end portion of the magnet in a plane of the magnet with the closed-path pattern, and applying current between an outer terminal connected to an outer circumferential portion of the closed-path pattern and an inner circumference electrode connected to an inner circumferential portion of the closed-path pattern, transferring the skyrmion in a direction substantially perpendicular to the direction of the applied current, and circulating the skyrmion in the magnet with the closed-path pattern.

摘要（中）：

本发明提供一种skyrmion存储器电路能够圆传递环的磁性元件skyrmion，包括在具有一个封闭的路径图案的磁体的一个或多个电流路径并提供周围计划结束区域包括在所述磁体的端部在所述磁体的与封闭路径图案，并在一个方向上的闭合路径图案的外周部并且在所述闭合路径图案的国内周部连接到内圆周电极，传递环的skyrmion连接到外端子之间施加电流基本上垂直于所施加的电流的方向，并与所述闭合路径图案磁体循环skyrmion。

公开/授权文献

EP3166138B1 MAGNETIC ELEMENT, SKYRMION MEMORY, SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE, DATA RECORDING DEVICE, DATA PROCESSOR AND COMMUNICATION DEVICE 公开/授权日：2020-11-11

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8246	.........只读存储器结构（ROM）