- 专利标题： METHOD OF MANUFACTURING A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL WITH ERASE GATE
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申请号： EP18865052.7申请日： 2018-09-21
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公开(公告)号： EP3669363A1公开(公告)日： 2020-06-24
- 发明人: YANG, Jeng-Wei , CHEN, Chun-Ming , WU, Man-Tang , FAN, Chen-Chih , DO, Nhan
- 申请人： Silicon Storage Technology, Inc.
- 申请人地址： 450 Holger Way San Jose, CA 95134 US
- 专利权人： Silicon Storage Technology, Inc.
- 当前专利权人： Silicon Storage Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： 450 Holger Way San Jose, CA 95134 US
- 代理机构： Betten & Resch
- 优先权： US201762567840P 20171004; US201816137399 20180920
- 国际公布： WO2019070428 20190411
- 主分类号： G11C16/10
- IPC分类号： G11C16/10 ; G11C16/16 ; H01L27/115 ; H01L29/423
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