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发明公开
METHOD OF MANUFACTURING A SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL WITH ERASE GATE 审中-公开

公开(公告)号：EP3669363A1

公开(公告)日：2020-06-24

申请号：EP18865052.7

申请日：2018-09-21

申请人： Silicon Storage Technology, Inc.

发明人： YANG, Jeng-Wei , CHEN, Chun-Ming , WU, Man-Tang , FAN, Chen-Chih , DO, Nhan

IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/16 , H01L27/115 , H01L29/423