- 专利标题： STRUCTURE AMÉLIORÉE DE SUBSTRAT RF ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION
- 专利标题（英）： IMPROVED STRUCTURE FOR RF SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD
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申请号： EP21212573.6申请日： 2021-12-06
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公开(公告)号： EP4016588A1公开(公告)日： 2022-06-22
- 发明人: ACOSTA ALBA, Pablo , AUGENDRE, Emmanuel , LORNE, Thomas , REBOH, Shay , ROLLAND, Emmanuel
- 申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment le Ponant 25, rue Leblanc
- 代理机构： Brevalex
- 优先权： FR2013364 20201216
- 主分类号： H01L21/322
- IPC分类号： H01L21/322 ; H01L21/265 ; H01L21/268 ; H01L21/74 ; H01L21/762 ; H01L21/306 ; H01L21/3063 ; H01L21/324 ; H03H3/08
摘要：
Réalisation d'un substrat de type semi-conducteur ou piézoélectrique sur isolant pour applications RF muni d'une couche poreuse sous la couche de BOX et sous une couche de matériau semi-conducteur polycristallin (figure 1).
公开/授权文献
- EP4016588B1 STRUCTURE AMÉLIORÉE DE SUBSTRAT RF ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION 公开/授权日：2024-05-29
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