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    DISPOSITIF POUR CONNECTER AU MOINS UN NANO-OBJET ET SON PROCEDE DE REALISATION
    3.
    发明公开
    DISPOSITIF POUR CONNECTER AU MOINS UN NANO-OBJET ET SON PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
    用于连接至少一个纳米对象的装置及其制造方法

    公开(公告)号：EP3229283A1

    公开(公告)日：2017-10-11

    申请号：EP17165178.9

    申请日：2017-04-06

    申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

    发明人： REYNAUD, Patrick ,  BAILLIN, Xavier ,  ROLLAND, Emmanuel ,  THUAIRE, Aurélie

    IPC分类号： H01L51/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y35/00 ,  H01L51/05 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/2253 ,  G01N27/4146 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L23/481 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0093 ,  H01L51/0595

    摘要： Réalisation d'un dispositif pour connecter au moins un nano-objet à un système électrique externe, comprenant un support doté d'une couche semi-conductrice (4) dans laquelle des premières zones dopées (8a, 8b) espacées entre elles sont agencées, un système électrique externe (SEE) étant apte à être connecté aux premières zones dopées, chaque première zone dopée (8a, 8b) étant en contact avec une deuxième zone dopée (12a, 12b) sur laquelle une portion du nano-objet est apte à être disposée, les deuxièmes zones dopées (12a, 12b) étant espacées entre elles et ayant une épaisseur (e 2 ) inférieure à l'épaisseur (e 1 ) des première zones dopées (figure 1).

    摘要翻译： 一种用于将至少一个纳米物体连接到外部电气系统的装置的实现，该装置包括具有半导体层（4）的支撑件，其中布置有间隔开的第一掺杂区（8a，8b） 外部电气系统（SEE）适于连接到第一掺杂区，每个第一掺杂区（8a，8b）与第二掺杂区（12a，12b）接触，所述纳米物体的一部分能够与第二掺杂区 所述第二掺杂区（12a，12b）被间隔开并且具有比所述第一掺杂区（图1）的厚度（e1）更小的厚度（e2）。

    PROCEDE DE CONTROLE DE LA FERMETURE DE CAVITE PAR DEPOT NON CONFORME D'UNE COUCHE
    5.
    发明公开
    PROCEDE DE CONTROLE DE LA FERMETURE DE CAVITE PAR DEPOT NON CONFORME D'UNE COUCHE 审中-公开
    程序控制DE LA FERMETURE DE CAVITE PAR DEPOT不一致的UNE COUCHE

    公开(公告)号：EP3201120A1

    公开(公告)日：2017-08-09

    申请号：EP15771624.2

    申请日：2015-10-01

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： ROLLAND, Emmanuel

    IPC分类号： B81B1/00 ,  C25D5/18

    CPC分类号： C25D5/022 ,  B23P15/26 ,  B81C1/00071 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  C25D7/123 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/473 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The invention relates to a method for producing a closed cavity on a substrate, comprising the steps consisting of: a) forming a cavity (5a) surrounded by at least one block on a given face of a substrate (1), the cavity having an aspect ratio h/cd higher than a determined threshold, and b) depositing a closing layer (20) on the at least one block surrounding the cavity, the aspect ratio of the cavity being such that in step b), the closing layer does not entirely fill said cavity and an empty space in the cavity is maintained.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于在衬底上产生封闭空腔的方法，包括以下步骤：a）形成被衬底（1）的给定面上的至少一个块包围的空腔（5a），所述空腔具有 高宽比h / cd高于确定的阈值，以及b）在围绕所述空腔的所述至少一个块上沉积闭合层（20），所述空腔的纵横比使得在步骤b）中，所述闭合层不 完全填充所述空腔并保持空腔中的空间。