PROCÉDÉ DE FORMATION DES ESPACEURS D'UNE GRILLE D'UN TRANSISTOR

发明公开

EP4050642A1 PROCÉDÉ DE FORMATION DES ESPACEURS D'UNE GRILLE D'UN TRANSISTOR 审中-公开

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专利标题： PROCÉDÉ DE FORMATION DES ESPACEURS D'UNE GRILLE D'UN TRANSISTOR
专利标题（英）： METHOD FOR FORMING SPACERS OF A TRANSISTOR GATE
申请号： EP22158669.6

申请日： 2022-02-24
公开(公告)号： EP4050642A1

公开(公告)日： 2022-08-31
发明人: BACQUIE, Valentin , POSSEME, Nicolas
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment "Le Ponant D" 25 rue Leblanc
代理机构： Hautier, Nicolas
优先权： FR2101864 20210225
主分类号： H01L21/311
IPC分类号： H01L21/311

摘要：

L'invention porte sur un procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor comprenant :
- Une fourniture d'une couche active (13) surmontée par une grille (20),
- une formation d'une couche diélectrique (3) recouvrant la grille et la couche active, ladite couche diélectrique présentant des portions latérales (30l), et des portions basales,
- une modification anisotrope des portions basales par implantation d'ions légers, formant des portions basales modifiées,
- un retrait des portions basales modifiées (31b) par gravure sélective, de façon à former les espaceurs (E) sur les flancs latéraux de la grille à partir des portions latérales non modifiées,
Avantageusement, avant le retrait, la modification anisotrope des portions basales comprend n phases d'implantation successives présentant des énergies d'implantation ┌i (i=1... n) distinctes les unes des autres, lesdites n phases étant configurées pour implanter les ions légers à différentes profondeurs nominales d'implantation

公开/授权文献

EP4050642B1 PROCÉDÉ DE FORMATION DES ESPACEURS D'UNE GRILLE D'UN TRANSISTOR 公开/授权日：2024-09-04

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀