公开(公告)号：EP4084045A1

公开(公告)日：2022-11-02

申请号：EP22170109.7

申请日：2022-04-26

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： POSSEME, Nicolas ,  BACQUIE, Valentin

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L29/66 ,  H01L21/3115

摘要： L'invention porte sur un procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor comprenant :
- Une fourniture d'une couche active (13) surmontée par une grille (20),
- une formation d'une couche diélectrique (3) recouvrant la grille et la couche active, ladite couche diélectrique présentant des portions latérales (30l), et des portions basales recouvrant la couche active,
- une modification anisotrope des portions basales par implantation d'ions à base d'hydrogène selon une direction (Z) parallèle aux flancs latéraux de la grille (22), formant des portions basales modifiées (31b),
- un recuit désorbant l'hydrogène de la couche active (13) et transformant les portions basales modifiées (31b) en deuxièmes portions basales modifiées (32b).
- un retrait des portions basales modifiées (32b) par gravure sélective du matériau diélectrique modifié vis-à-vis du matériau diélectrique non modifié et vis-à-vis du matériau semi-conducteur, de façon à former les espaceurs (E) sur les flancs latéraux de la grille.

公开(公告)号：EP4053884A1

公开(公告)日：2022-09-07

申请号：EP22158665.4

申请日：2022-02-24

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： POSSEME, Nicolas ,  BACQUIE, Valentin

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L29/66

摘要： L'invention porte sur un procédé de gravure d'une couche diélectrique recouvrant un sommet (31) et un flanc (32) d'une structure (30) tridimensionnelle, ledit procédé comprenant :
- une première gravure de la couche diélectrique, comprenant :
∘ un premier composé à base de fluor (F)
∘ un deuxième composé pris parmi le SiwCI(2w+2) et le SiwF(2w+2),
∘ de l'oxygène (O),
ladite première gravure étant effectuée pour :
∘ former une première couche de protection sur le sommet (31) et former une deuxième couche de protection sur la couche diélectrique (14f),

- une deuxième gravure configurée pour retirer la deuxième couche de protection tout en conservant une portion (50b) de la première couche de protection,
les première et deuxième gravures étant répétées jusqu'au retrait de la couche diélectrique (14f) située sur le flanc (32) de la structure (30),
Avantageusement, la deuxième gravure est effectuée par plasma à base d'hydrogène.

公开(公告)号：EP4053883A1

公开(公告)日：2022-09-07

申请号：EP22158663.9

申请日：2022-02-24

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： POSSEME, Nicolas ,  BACQUIE, Valentin

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L29/66

摘要： L'invention porte sur un procédé de gravure d'une couche diélectrique recouvrant un sommet (31) et un flanc (32) d'une structure tridimensionnelle, ledit procédé comprenant :
- une première gravure de la couche diélectrique, comprenant :
∘ un premier composé à base de fluor (F)
∘ de l'oxygène (O),
ladite première gravure étant effectuée pour :
∘ former une première couche de protection sur le sommet (31) et former une deuxième couche de protection sur la couche diélectrique (14f),
- une deuxième gravure configurée pour retirer la deuxième couche de protection tout en conservant une portion de la première couche de protection,
les première et deuxième gravures étant répétées jusqu'au retrait de la couche diélectrique (14f) située sur le flanc (32) de la structure (30).
Avantageusement, le procédé comprend, avant dépôt de la couche diélectrique, une formation d'une couche de protection intercalaire (20) entre ledit sommet (31) et la couche diélectrique.

公开(公告)号：EP4050642A1

公开(公告)日：2022-08-31

申请号：EP22158669.6

申请日：2022-02-24

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： BACQUIE, Valentin ,  POSSEME, Nicolas

IPC分类号： H01L21/311

摘要： L'invention porte sur un procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor comprenant :
- Une fourniture d'une couche active (13) surmontée par une grille (20),
- une formation d'une couche diélectrique (3) recouvrant la grille et la couche active, ladite couche diélectrique présentant des portions latérales (30l), et des portions basales,
- une modification anisotrope des portions basales par implantation d'ions légers, formant des portions basales modifiées,
- un retrait des portions basales modifiées (31b) par gravure sélective, de façon à former les espaceurs (E) sur les flancs latéraux de la grille à partir des portions latérales non modifiées,
Avantageusement, avant le retrait, la modification anisotrope des portions basales comprend n phases d'implantation successives présentant des énergies d'implantation ┌i (i=1... n) distinctes les unes des autres, lesdites n phases étant configurées pour implanter les ions légers à différentes profondeurs nominales d'implantation