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公开(公告)号：EP4053884A1
公开(公告)日：2022-09-07
申请号：EP22158665.4
申请日：2022-02-24
IPC分类号： H01L21/311 , H01L29/66
摘要： L'invention porte sur un procédé de gravure d'une couche diélectrique recouvrant un sommet (31) et un flanc (32) d'une structure (30) tridimensionnelle, ledit procédé comprenant :
- une première gravure de la couche diélectrique, comprenant :
∘ un premier composé à base de fluor (F)
∘ un deuxième composé pris parmi le SiwCI(2w+2) et le SiwF(2w+2),
∘ de l'oxygène (O),
ladite première gravure étant effectuée pour :
∘ former une première couche de protection sur le sommet (31) et former une deuxième couche de protection sur la couche diélectrique (14f),
- une deuxième gravure configurée pour retirer la deuxième couche de protection tout en conservant une portion (50b) de la première couche de protection,
les première et deuxième gravures étant répétées jusqu'au retrait de la couche diélectrique (14f) située sur le flanc (32) de la structure (30),
Avantageusement, la deuxième gravure est effectuée par plasma à base d'hydrogène.-
公开(公告)号：EP4050642A1
公开(公告)日：2022-08-31
申请号：EP22158669.6
申请日：2022-02-24
IPC分类号： H01L21/311
摘要： L'invention porte sur un procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor comprenant :
- Une fourniture d'une couche active (13) surmontée par une grille (20),
- une formation d'une couche diélectrique (3) recouvrant la grille et la couche active, ladite couche diélectrique présentant des portions latérales (30l), et des portions basales,
- une modification anisotrope des portions basales par implantation d'ions légers, formant des portions basales modifiées,
- un retrait des portions basales modifiées (31b) par gravure sélective, de façon à former les espaceurs (E) sur les flancs latéraux de la grille à partir des portions latérales non modifiées,
Avantageusement, avant le retrait, la modification anisotrope des portions basales comprend n phases d'implantation successives présentant des énergies d'implantation ┌i (i=1... n) distinctes les unes des autres, lesdites n phases étant configurées pour implanter les ions légers à différentes profondeurs nominales d'implantation-
公开(公告)号：EP4009456A1
公开(公告)日：2022-06-08
申请号：EP21211800.4
申请日：2021-12-01
摘要： L'invention porte sur un procédé de formation d'un miroir de Bragg (65), comprenant :
- Après formation de premières tranchées dans l'empilement (10), destinées à former des structures (5) du miroir de Bragg (65) distribué, une formation d'une couche intercalaire sacrificielle au moins dans les premières tranchées, puis
- Un dépôt d'une deuxième couche de masquage au moins dans les premières tranchées,
- Une formation de deuxièmes tranchées destinées à former des parois du laser,
- Un retrait de la deuxième couche de masquage dans les premières tranchées,
- un retrait de ladite couche intercalaire sacrificielle de façon à retirer par décollement des résidus de la deuxième couche de masquage restant dans les premières tranchées,
- Un remplissage desdites premières tranchées par au moins un matériau métallique.-
公开(公告)号：EP4005994A1
公开(公告)日：2022-06-01
申请号：EP21209403.1
申请日：2021-11-19
摘要： L'invention concerne un procédé (1) de fabrication de ciment comprenant la fourniture (10) d'au moins un effluent de gravure d'un substrat (2) à base de silicium comprenant un silicate d'un métal alcalin M, de formule SiO 2 : M 2 O, et présentant un rapport molaire SiO 2 /M 2 O supérieur ou égal à 0,8, la fourniture (12) d'une matière première aluminosilicate, et le mélange (13) de la matière première aluminosilicate avec l'effluent de gravure présentant un rapport molaire SiO 2 /M 2 O supérieur ou égal à 0,8. La solution de silicate de métal alcalin est récupérée auprès d'un procédé industriel du silicium existant, mettant en œuvre une gravure de silicium. L'impact environnemental du procédé de fabrication de ciment est donc réduit.
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公开(公告)号：EP3396704B1
公开(公告)日：2022-03-09
申请号：EP18169066.0
申请日：2018-04-24
发明人： POSSEME, Nicolas
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L29/66 , H01L21/3115
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公开(公告)号：EP3933379A1
公开(公告)日：2022-01-05
申请号：EP21182429.7
申请日：2021-06-29
发明人： MAINDRON, Tony , BOUTAMI, Salim , KOPP, Christophe
摘要： L'invention prévoit un capteur optique (1) de particules comprenant :
- au moins une source (2, 2r, 2g, 2b) de lumière configurée pour émettre des rayons lumineux (20),
- au moins un canal (3) destiné à accueillir un fluide transportant au moins une particule (30), et à recevoir au moins en partie les rayons lumineux (20) émis par l'au moins une source (2, 2r, 2g, 2b), de sorte que lesdits rayons lumineux (20) soient en partie diffusés par l'au moins une particule (30),
- au moins un photodétecteur (4) apte à recevoir lesdits rayons lumineux (20) diffusés,
ledit capteur (1) étant caractérisé en ce que l'au moins une source (2, 2r, 2g, 2b) présente une face d'émission (21) tournée vers un côté (D) du capteur et en ce que l'au moins un photodétecteur (4) présente une face de réception (41) tournée vers le même côté (D) du capteur (1), de sorte que les rayons lumineux reçus par l'au moins un photodétecteur sont des rayons lumineux rétrodiffusés (20b) par l'au moins une particule (30), pour au moins 90% d'entre eux.-
9.发明公开
公开(公告)号：EP3874448A1
公开(公告)日：2021-09-08
申请号：EP19790025.1
申请日：2019-10-25
申请人： Texplained
发明人： THOMAS, Olivier
IPC分类号： G06T3/40
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