发明公开
- 专利标题： DISPOSITIF CAPACITIF A HAUTE DENSITE AYANT DES ZONES D'ISOLATION BIEN DEFINIES
- 专利标题（英）： HIGH DENSITY CAPACITIVE DEVICE WITH WELL DEFINED INSULATED AREAS
-
申请号： EP22178222.0申请日： 2022-06-09
-
公开(公告)号： EP4102526A1公开(公告)日： 2022-12-14
- 发明人: CLARET, Thierry , FERREIRA, Delphine , RAMOS, Raphael
- 申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment le Ponant 25, rue Leblanc
- 代理机构： Brevalex
- 优先权： FR2106145 20210610
- 主分类号： H01G4/005
- IPC分类号： H01G4/005 ; H01G4/08 ; H01G4/33 ; H01G4/012 ; H01L23/522 ; H01L49/02
摘要：
Procédé de fabrication d'un dispositif capacitif comprenant les étapes suivantes :
i) fournir un substrat comprenant :
- une première zone (Z1) en un premier matériau et/ou ayant une première texturation,
- une deuxième zone (Z2) en un deuxième matériau et/ou ayant une deuxième texturation,
- une troisième zone (Z3) en un troisième matériau et/ou ayant une troisième texturation,
ii) faire croître des nanopiliers sur le substrat, moyennant quoi on obtient une couche de nanopiliers présentant localement différentes densités, la densité de la première zone (Z1) étant inférieure la densité de la troisième zone (Z3),
iii) déposer une couche isolante (32),
iv) déposer une couche conductrice (33), moyennant quoi on forme un empilement capacitif au niveau de la première zone (Z1), l'empilement capacitif comprenant la couche isolante (32) et la couche conductrice (33).
i) fournir un substrat comprenant :
- une première zone (Z1) en un premier matériau et/ou ayant une première texturation,
- une deuxième zone (Z2) en un deuxième matériau et/ou ayant une deuxième texturation,
- une troisième zone (Z3) en un troisième matériau et/ou ayant une troisième texturation,
ii) faire croître des nanopiliers sur le substrat, moyennant quoi on obtient une couche de nanopiliers présentant localement différentes densités, la densité de la première zone (Z1) étant inférieure la densité de la troisième zone (Z3),
iii) déposer une couche isolante (32),
iv) déposer une couche conductrice (33), moyennant quoi on forme un empilement capacitif au niveau de la première zone (Z1), l'empilement capacitif comprenant la couche isolante (32) et la couche conductrice (33).
公开/授权文献
信息查询
