- 专利标题： PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS
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申请号： EP22838286.7申请日： 2022-07-01
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公开(公告)号： EP4367709A1公开(公告)日： 2024-05-15
- 发明人: KUMAR, Ravi , AGARWAL, Pulkit , LAVOIE, Adrien , AUSTIN, Dustin Zachary , ABEL, Joseph R. , AGNEW, Douglas Walter , BAKER, Jonathan Grant
- 申请人： Lam Research Corporation
- 申请人地址： US Fremont, CA 94538 4650 Cushing Parkway
- 专利权人： Lam Research Corporation
- 当前专利权人： Lam Research Corporation
- 当前专利权人地址： US Fremont, CA 94538 4650 Cushing Parkway
- 代理机构： Mewburn Ellis LLP
- 优先权： US 202163220302 P 2021.07.09
- 国际申请： US2022036026 2022.07.01
- 国际公布： WO2023283144 2023.01.12
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/768 ; C23C16/455 ; C23C16/04 ; C23C16/505 ; C23C16/30 ; C23C16/56
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