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发明专利
JP2008509820A Mems device, and inclusions, and mems device, and a method for integrating the inclusions 审中-公开

Mems device, and inclusions, and mems device, and a method for integrating the inclusions
摘要：
本発明の側面によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。 ＢＥＳＯＩ方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ
2 ）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ、及び（iii）装置レイヤを有する。 最初、装置レイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。 装置レイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成された装置レイヤを有する基板にボンディングされる。 ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤは、エッチングによって除去される。 更に、装置レイヤが、ＭＥＭＳ装置を定めるためにエッチングされる。 ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ
2 レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。
摘要（英）：

According to the aspect of the present invention, the process is bonded, etching back silicon on insulator (later referred to as BESOI) based on the method. BESOI method includes on silicon (SOI) wafer insulator, silicon on insulator (SOI) wafers, (i) handle layer, (ii) silicon dioxide (SiO 2) dielectric layer is preferably a layer It has, and (iii) device layer. First, the device layer is patterned by mesa etching. After the device layer is patterned, SOI wafers faces the substrate, is bonded to a substrate having a device layer that is patterned. SOI wafer handle layer, and the dielectric layer is removed by etching. Additionally, device layer is etched to define the MEMS device. The BESOI method, structure etching is performed after the dielectric SiO 2 layer has been removed.

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