(式中、Rは炭素数1〜6の有機基であり、Ra、Rb、Rcは置換又は非置換の炭素数1〜30の1価の有機基、w=0又は1、x=0、1、2又は3、y=0、1又は2、z=0、1、2又は3である。また、w=0のとき、5≧x+z≧1であり、(x,z)=(1,1)、(3,0)、(0,3)となる場合は含まない。また、w=1のとき、7≧x+y+z≧1であり、(x,y,z)=(1,1,1)となる場合は含まない。)
【選択図】なし ">
发明专利
JP2015072329A ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 有权
用于形成电阻膜和形成方法的含硅组合物

  • 专利标题: ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
  • 专利标题(英): Silicon-containing composition for forming resist underlay film and pattern forming method
  • 专利标题(中): 用于形成电阻膜和形成方法的含硅组合物
  • 申请号: JP2013207169
    申请日: 2013-10-02
  • 公开(公告)号: JP2015072329A
    公开(公告)日: 2015-04-16
  • 发明人: 荻原 勤美谷島 祐介
  • 申请人: 信越化学工業株式会社
  • 申请人地址: 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
  • 专利权人: 信越化学工業株式会社
  • 当前专利权人: 信越化学工業株式会社
  • 当前专利权人地址: 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
  • 代理商 好宮 幹夫
  • 主分类号: G03F7/075
  • IPC分类号: G03F7/075 H01L21/027 C08G77/14 G03F7/11
ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
摘要:
【課題】極めて塗布欠陥が少なく、微細パターンにおける密着性やエッチング選択性に優れるレジスト下層膜を形成するためのケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物を提供する。 【解決手段】1種以上の下記一般式(1)で示される化合物を含むケイ素化合物(A−1)を加水分解もしくは縮合、又はその両方を行うことにより得られるケイ素含有化合物(A 1 )を含有するケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 【化1】 (式中、Rは炭素数1〜6の有機基であり、R a 、R b 、R c は置換又は非置換の炭素数1〜30の1価の有機基、w=0又は1、x=0、1、2又は3、y=0、1又は2、z=0、1、2又は3である。また、w=0のとき、5≧x+z≧1であり、(x,z)=(1,1)、(3,0)、(0,3)となる場合は含まない。また、w=1のとき、7≧x+y+z≧1であり、(x,y,z)=(1,1,1)となる場合は含まない。) 【選択図】なし
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