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公开(公告)号：JP6243815B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2014176897
申请日：2014-09-01
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： H01L21/02216 , H01L21/02126 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/266 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , C09D183/04
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公开(公告)号：JP2015072418A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013208915
申请日：2013-10-04
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： G03F7/26 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/16
摘要： 【課題】塗布欠陥の低減されたレジスト組成物を製造することのできるレジスト組成物の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】半導体装置製造工程で使用されるレジスト組成物の製造方法であって、 前記レジスト組成物の製造装置を洗浄液で洗浄し、該洗浄液を前記製造装置から取り出して分析し、該洗浄液中に含まれる不揮発成分の濃度が10ppm以下となるまで洗浄した後に、前記製造装置で前記レジスト組成物を製造するレジスト組成物の製造方法。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供抗蚀剂组合物的制造方法，通过该方法可以制造具有减少的涂层缺陷的抗蚀剂组合物。溶液：提供用于制造半导体器件的方法的抗蚀剂组合物的制造方法 其包括以下步骤：用清洁溶液清洗用于制备抗蚀剂组合物的装置; 从生产设备中提取清洗液并进行分析; 进一步清洗装置，直到包含在清洁溶液中的非挥发性组分的浓度降低到10ppm或更低; 然后在制造装置中制造抗蚀剂组合物。
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公开(公告)号：JP2020084175A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2019183751
申请日：2019-10-04
申请人： 信越化学工業株式会社
摘要： 【課題】上層レジストのLWRを保持したまま感度向上に寄与できるレジスト下層膜を形成するために用いる熱硬化性ケイ素含有材料、これを含むケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びこの組成物を用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】下記一般式(Sx−1)で表される繰返し単位、下記一般式(Sx−2)で表される繰返し単位、及び下記一般式(Sx−3)で表される部分構造のいずれか一つ以上を含有するものであることを特徴とする熱硬化性ケイ素含有材料。 【化1】 (式中、R 1 はヨウ素を含有する有機基である。R 2 、R 3 はそれぞれ独立にR 1 と同じか、水素原子又は炭素数1〜30の1価の有機基である。) 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP5886804B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2013181496
申请日：2013-09-02
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： G03F7/0757 , B01D61/14 , B01D61/145 , B01D61/147 , B01D61/18 , B01D61/22 , C08G77/04 , C08L83/04 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/16
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公开(公告)号：JP5842841B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2013028612
申请日：2013-02-18
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/405 , G03F7/0035 , G03F7/11
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公开(公告)号：JP2021105654A
公开(公告)日：2021-07-26
申请号：JP2019236335
申请日：2019-12-26
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/20 , C07C69/732 , C07C69/94 , C07D307/88 , C07D493/10 , C07D311/82 , C07D233/74 , C07D239/62 , C07D251/34 , C07D487/04 , G03F7/11
摘要： 【課題】高度な埋め込み特性/高度な平坦化特性/基板との優れた密着力を併せ持つ有機膜を形成するための有機膜材料を提供する。 【解決手段】一般式(1)で示される化合物および有機溶剤を含む有機膜形成材料。 (一般式(1)中、Xは炭素数2〜50のn1価の有機基であり、n1は2〜10の整数を示し、R 1 は式(2)または特定トリアリールメタン構造を有する有機基である。) 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020184062A
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JP2020022806
申请日：2020-02-13
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/11
摘要： 【課題】酸を触媒とする化学増幅レジストで形成される微細パターンにおいてLWRやCDUを改善できるレジスト下層膜を提供する。 【解決手段】ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物が、熱硬化性ケイ素含有材料(Sx)、硬化触媒(Xc)および溶剤を含有し、前記ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物により形成されたレジスト下層膜から、前記レジスト下層膜上に形成されるレジスト上層膜への前記硬化触媒(Xc)の拡散距離が5nm以下のものである。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2019112584A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017248987
申请日：2017-12-26
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F7/105 , G03F7/26 , G03F7/20 , C08G8/28 , C08L61/12 , C08L61/14 , C08K5/17 , C08K5/3445 , C08K5/3492 , C08G8/20
摘要： 【課題】パターン曲がり耐性が高く、特には40nmより微細で高アスペクトなラインパターンにおけるドライエッチング後のラインの倒れやよれが発生しない有機膜を形成することが出来る濾過性の高い有機膜形成用組成物、当該組成物を用いる有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び該有機膜が形成された半導体装置製造用基板を提供する。 【解決手段】有機膜形成用組成物であって、下記式(1)で示されるジヒドロキシナフタレンと縮合剤との縮合体である縮合物(A)又は該縮合物(A)の誘導体を含み、前記縮合物(A)又は縮合物(A)の誘導体に含まれる成分元素中の硫黄分の含有量が、質量比で100ppm以下のものである有機膜形成用組成物。 【化1】 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016113485A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014250913
申请日：2014-12-11
申请人： 信越化学工業株式会社
摘要： 【課題】塗布成膜装置の配管内にて析出、固着したケイ素含有レジスト下層膜材料等のケイ素含有膜材料由来のシロキサンゲルを洗浄除去することができ、かつ塗布成膜装置内で有機系材料と接触しても沈殿や配管閉塞の発生しない洗浄液を提供する。 【解決手段】塗布成膜装置の配管内に固着したシロキサンゲルを除去する際に用いる洗浄液であって、水酸化テトラアルキルアンモニウム又はコリンのアルコール溶液であることを特徴とする洗浄液。 【選択図】なし
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够清洗和除去沉积并粘附在成膜装置的管道中的硅氧烷凝胶的清洗液，该涂料是由含硅膜材料如含硅抗蚀剂层 并且即使在成膜装置中通过涂布与有机材料接触，也不会产生沉淀物和管道堵塞。溶液：当通过涂布在成膜装置的管道中除去附着在硅氧烷凝胶上时使用的清洗液包括醇 四烷基氢氧化铵或胆碱溶液。选择图：无
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公开(公告)号：JP2016051094A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014176897
申请日：2014-09-01
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： H01L21/02216 , H01L21/02126 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/266 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , C09D183/04
摘要： 【課題】ケイ素含有膜を使用した半導体装置基板の製造方法において、イオン注入に使用したマスクを剥離液で容易かつ基板にダメージを与えずに湿式剥離できる半導体装置基板の製造方法を提供する。 【解決手段】(1)基板上に形成した有機下層膜上にケイ素含有量が1〜30質量%のケイ素含有膜を形成する工程、(2)ケイ素含有膜上にレジスト膜を形成する工程、(3)レジスト膜を露光、現像してレジストパターンを形成する工程、(4)レジストパターンをマスクとしてケイ素含有膜にパターンを転写する工程、(5)ケイ素含有膜をマスクとして有機下層膜にパターンを転写し、ケイ素含有膜の一部又は全部を有機下層膜上に残す工程、(6)有機下層膜をマスクとして基板にイオンを注入する工程、及び(7)イオン注入のマスクとして使用されたケイ素含有膜の一部又は全部が残った有機下層膜を剥離液で剥離する工程を含む半導体装置基板の製造方法。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种制造半导体器件基板的方法，通过该方法，可以使用剥离溶液容易地在湿式系统中剥离的掩模，而不损坏基板，在制造具有 含硅膜。制造半导体器件基板的方法包括以下步骤：（1）在形成在基板上的有机底衬膜上形成硅含量为1〜30质量％的含硅膜; （2）在含硅膜上形成抗蚀剂膜; （3）曝光和显影抗蚀剂膜以形成抗蚀剂图案; （4）通过使用抗蚀剂图案作为掩模将图案转印到含硅膜; （5）通过使用含硅膜作为掩模将图案转印到有机底衬膜上，同时将一部分或全部含硅膜留在有机底衬上; （6）通过使用有机底衬膜作为掩模将离子注入到衬底中; 和（7）剥离用作离子注入掩模的一部分或全部含硅膜残留的有机底衬膜，通过使用剥离溶液进行剥离。图1
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