Invention Patent
- Patent Title: 半導体装置の製造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device manufacturing method
- Patent Title (中): 半导体器件制造方法
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Application No.: JP2014198373Application Date: 2014-09-29
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Publication No.: JP2016072352APublication Date: 2016-05-09
- Inventor: 若月 啓 , 北村 政幸 , 坂田 敦子 , 須黒 恭一
- Applicant: 株式会社東芝
- Applicant Address: 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- Assignee: 株式会社東芝
- Current Assignee: 株式会社東芝
- Current Assignee Address: 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- Agent 特許業務法人 サトー国際特許事務所
- Main IPC: H01L21/288
- IPC: H01L21/288 ; H01L21/8247 ; H01L27/115 ; H01L27/10 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L29/417 ; H01L21/28
Abstract:
【課題】p型不純物領域とn型不純物領域の上部に、それぞれ異なる材料を用いた金属シリサイドを容易に形成可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第1導電型不純物領域と、第2導電型不純物領域を備える基板上に、第1導電型不純物を含有する金属を成膜する工程と、熱処理を施すことにより、前記第1導電型不純物領域上に選択的に前記金属を含む金属シリサイドを形成する工程とを有する。 【選択図】図1
Public/Granted literature
- JP6197169B2 半導体装置の製造方法 Public/Granted day:2017-09-20
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IPC分类:
