公开(公告)号：JP2021152779A

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：JP2020053099

申请日：2020-03-24

申请人： キオクシア株式会社

发明人： 金川 直晃

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G11C7/10 ,  G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G06F13/16 ,  G06F12/00

摘要： 【課題】SetFeatureシーケンスの処理時間を短縮する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、コントローラと不揮発性メモリとの間で、コマンドCMD、アドレスADD並びにコマンド及びアドレスを除く転送データD0〜D3の転送を行う。コントローラ及び不揮発性メモリは、書き込み及び読み出し時に、コマンド及びアドレスを取り込み信号(ライトイネーブル信号/WE)に同期して転送すると共に、転送データを同期制御信号DQSに同期して転送し、不揮発性メモリの機能設定時に、コマンド、アドレス及び転送データ(DQ )を取り込み信号に同期して転送する。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP2021068489A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：JP2019192100

申请日：2019-10-21

申请人： 株式会社バッファロー

发明人： 真国 一起 ,  東 修一郎 ,  菅原 識介 ,  中瀬 優

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G06F12/00 ,  G11C16/04 ,  G11C5/04

摘要： 【課題】容量を低減させずに実装面積を小さくした半導体メモリ装置を提供する。 【解決手段】半導体メモリ装置1は、基板10に、複数のNANDフラッシュメモリデバイス11a〜11cと、コントローラ(コントローラチップ)12を備える。各NANDフラッシュメモリデバイスは、記憶容量が共通のシリコンダイを少なくとも一つ備える。コントローラは、シリコンダイごとに設定されるチャネルを介して複数のNANDフラッシュメモリデバイスのそれぞれを制御する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6864720B2

公开(公告)日：2021-04-28

申请号：JP2019146058

申请日：2019-08-08

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

公开(公告)号：KR20210034749A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020190116373A

申请日：2019-09-20

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정상훈 ,  홍상준 ,  심선일 ,  김경현 ,  문창섭

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/66 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11556 ,  G11C5/025 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 소자는 셀 어레이 영역 및 연장 영역을 포함하는 기판 상에 차례로 적층된 수평 전극들 및 상기 수평 전극들 사이의 수평 절연층들 포함하는 적층 구조체를 포함한다. 상기 적층 구조체를 관통하는 수직 구조체들을 포함하고, 상기 수직 구조체들 각각은 채널층, 상기 채널층의 측벽 상에 차례로 적층되는 터널링 절연층, 전하 저장층, 및 블로킹 절연층을 포함한다. 상기 수직 구조체들은 상기 셀 어레이 영역에 배치되는 제 1 수직 구조체 및 상기 연장 영역에 배치되는 제 2 수직 구조체를 포함한다. 상기 제 1 수직 구조체의 전하 저장층은 상기 수평 절연층들을 사이에 두고 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로 서로 이격되는 전하 저장 패턴들을 포함한다. 상기 제 2 수직 구조체의 전하 저장층은 상기 수평 전극들의 측벽들 및 상기 수평 절연층들의 측벽들을 따라 연장된다.

公开(公告)号：JP2021047968A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：JP2019171095

申请日：2019-09-20

申请人： キオクシア株式会社

发明人： 中村 正己

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/10 ,  G11C16/04 ,  G11C5/02

摘要： 【課題】 性能の向上をはかることが可能な記憶装置を提供する。 【解決手段】 実施形態に係る記憶装置10は、積層された第1のダイ100及び第2のダイ200を備え、第1のダイは、ダイシング領域120によって区画された複数のダイ領域110を含み、複数のダイ領域のそれぞれはメモリセルアレイ回路111を含み、第2のダイは、第1のダイに含まれる複数のメモリセルアレイ回路に対してデータの読み書きを行う書込・読出回路部を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021027338A

公开(公告)日：2021-02-22

申请号：JP2020115817

申请日：2020-07-03

申请人： オーシーアイ カンパニー リミテッド ,  OCI Company Ltd.

发明人： ユ・ホソン ,  キム・ミョンヒョン ,  イ・ジュンウン

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/308

摘要： 【課題】エッチング液の保管安全性を向上するシリコン窒化膜エッチング溶液の保管安全性に優れるシリコン窒化膜エッチング溶液、及びこれを用いて行われる半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン窒化膜エッチング溶液を用いた半導体素子の製造方法において、化合物を用いたシリコン窒化膜エッチング溶液によるにエッチング条件で、積層構造体20上のシリコン酸化膜11に対しシリコン窒化膜12に対するエッチング選択比を向上させるとともに、水または酸の条件で、保管安全性を向上させる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021015967A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：JP2020115806

申请日：2020-07-03

申请人： オーシーアイ カンパニー リミテッド ,  OCI Company Ltd.

发明人： ユ・ホソン ,  キム・ミョンヒョン ,  イ・ジュンウン

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/308

摘要： 【課題】シリコン窒化膜エッチングでシリコン系パーティクルの発生を防止する技術を提供する。 【解決手段】シリコン窒化膜エッチング溶液及びこれを用いた半導体素子の製造方法であって、同一体積を基準に、球状の第1のコロイダルシリカ粒子に対して、表面積の増加した第2のコロイダルシリカ粒子を含ませることによって、高温でもコロイダルシリカ粒子が凝集する現象を防ぎ、シリコン系パーティクルの発生を防ぎ、積層構造体20のエッチング条件で、シリコン酸化膜12に対しシリコン窒化膜11に対するエッチング選択比を向上させる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6800057B2

公开(公告)日：2020-12-16

申请号：JP2017049984

申请日：2017-03-15

申请人： キオクシア株式会社

发明人： 清水 峻

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11568

公开(公告)号：JP6800015B2

公开(公告)日：2020-12-16

申请号：JP2016547595

申请日：2015-01-06

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： ハン, シンハイ ,  ラージャゴーパーラン, ナーガラージャン ,  ホン, ソンヒョン ,  キム, ボク ホーエン ,  スリニバサン, ムクン

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115

公开(公告)号：JP2020155773A

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：JP2020042926

申请日：2020-03-12

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/3065

摘要： 【課題】プラズマの利用における使用のための新たなエッチングガス組成物を用いる3DNANDフラッシュメモリを製造する方法を提供する。 【解決手段】方法は、ハードマスク層上にハードマスクパターンを形成すること及び前記ハードマスクパターンを用いて、特定の硫黄含有化合物のエッチングガスを用いて、プラズマ反応チャンバ内で、前記ハードマスク層に対して第1のエッチング層と第2のエッチング層の交互層を選択的にプラズマエッチングすることにより、前記交互層に開口部を形成すること、を含む。前記第1のエッチング層が、前記第2のエッチング層の材料とは異なる材料を含む。 【選択図】なし