- 专利标题： IZO焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法
- 专利标题（英）： JP2017179537A - Izo sintering sputtering target, and production method thereof
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申请号： JP2016071397申请日： 2016-03-31
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公开(公告)号： JP2017179537A公开(公告)日： 2017-10-05
- 发明人: 掛野 崇 , 山口 洋平 , 遠藤 瑶輔
- 申请人： JX金属株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区大手町一丁目1番2号
- 专利权人： JX金属株式会社
- 当前专利权人： JX金属株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区大手町一丁目1番2号
- 代理商 小越 勇; 小越 一輝; 若土 雅之
- 主分类号： C04B35/00
- IPC分类号： C04B35/00 ; C23C14/34
摘要：
【課題】結晶粒界に残存する微細な穴(マイクロポア)を低減させた酸化インジウム−酸化亜鉛系酸化物(IZO)焼結体スパッタリングターゲットの提供。 【解決手段】酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉とを仮焼して得られた仮焼粉を成型、焼結することで得られる、IZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法において、仮焼き条件を厳密に制御することで、ターゲットを構成する酸化物がIn 2 O 3 とZn k In 2 O k+3 (k=3、4、5)の複合酸化物であり、ターゲットの相対密度が98.4%以上であることを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲット。 【選択図】図1
公开/授权文献
- JP6078189B1 IZO焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 公开/授权日：2017-02-08
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