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公开(公告)号：JP6979938B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2018219163
申请日：2018-11-22
Applicant: コーニング インコーポレイテッド
Inventor： ロバート アラン ベルマン , ジェレミー カーティス クラーク , ポール アーサー サシェニク , リン バーナード シンプソン , リーリー ティエン
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公开(公告)号：JP6977348B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2017135716
申请日：2017-07-11
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/599 , C04B35/56 , C23C14/06
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公开(公告)号：JP6974656B1
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：JP2021545862
申请日：2021-03-18
Applicant: 日東電工株式会社
IPC: B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , B32B9/00 , B32B9/04 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , H01B1/08 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , H01B5/14
Abstract: 透明導電層3は、第1主面5、および、第1主面5と厚み方向に対向する第2主面6を備える。透明導電層3は、断面視における2つの端縁23がいずれも第1主面5に開放され、両端縁23の間の中間領域25が第2主面6に接触しない第1粒界7と、第1粒界7に仕切られ、第1主面5のみに面する第1結晶粒31とを有する。透明導電層3は、アルゴン原子よりも原子番号の大きい希ガス原子を含有する。
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公开(公告)号：JPWO2021100233A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020024891
申请日：2020-06-24
Applicant: 三井金属鉱業株式会社
Inventor： 寺村 享祐
Abstract: 反った円筒形基材を構成材料として使用することができるスパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、円筒形ターゲット材の軸方向長さが比較的長くても、また、接合材充填時の加熱を経ても、円筒形基材の反りを解消することができる、新たなスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 円筒形基材の反り幅を測定し、反っていた方向とは反対方向に円筒形基材を反らせる加工をし、前記加工された円筒形基材の外側に、複数の円筒形ターゲット材を軸方向に間隔をおいて並べて配置し、該円筒形基材と前記円筒形ターゲット材を接合材で接合することを特徴とする、スパッタリングターゲットの製造方法を提案する。
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公开(公告)号：JP2021182616A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020117466
申请日：2020-07-08
Applicant: プロマティック株式会社
Inventor： 福島 和宏
Abstract: 【課題】銅箔の表面粗さが小さい場合でも、銅箔と絶縁性ポリマーとの密着性が十分に確保された積層体の製造方法を提供する。 【解決手段】銅箔10と絶縁性ポリマー12とが積層された積層体13の製造方法であって、真空チャンバー内で、銅箔の表面に、銅拡散バリア層11をスパッタリング法により形成する工程(A)と、表面に銅拡散バリア層が形成された銅箔に、絶縁性ポリマーを積層する工程(B)とを含み、工程(A)は、真空チャンバー内に水蒸気を導入して、銅拡散バリア層の表面に、該銅拡散バリア層を構成する金属の水酸化物を形成する工程を含む。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP6971433B1
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2021545483
申请日：2021-03-18
Applicant: 日東電工株式会社
IPC: B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , B32B9/00 , B32B9/04 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , H01B1/08 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , H01B5/14
Abstract: 透明導電層3は、厚み方向に互いに対向する第1主面5および第2主面6を備える。透明導電層3は、複数の結晶粒4と、複数の結晶粒4を仕切り、厚み方向一端縁9および他端縁10のそれぞれが第1主面5および第2主面6のそれぞれにおいて開放される複数の第1粒界7と、一の第1粒界7Aの第1中間部11から分岐し、他の第1粒界7Bの第2中間部12に至る第2粒界8とを有する。透明導電層3は、アルゴン原子よりも原子番号の大きい希ガス原子を含有する。
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公开(公告)号：JPWO2021084838A1
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020030212
申请日：2020-08-06
Applicant: 三井金属鉱業株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 積層構造からなる隙間配置部材に関し、加熱によって層間剥離を生じ難い、新たな隙間配置部材を提供する。 スパッタリングターゲットの基材(単に「基材」と称する)の表面側に複数のターゲット部材を配置する際、隣り合うターゲット間の隙間に沿って、該ターゲット部材と基材との間に介在させる隙間配置部材であって、 厚さ方向に3層以上を積層してなる多層構造をなし、ターゲット部材側の層(「表面層」とも称する)と、基材側の層(「裏面層」とも称する)との間に中間層を備え、前記中間層を構成する材料の線膨張率が、前記表面層を構成する材料の線膨張率と前記裏面層を構成する材料の線膨張率との間の範囲内であることを特徴とする、隙間配置部材である。
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公开(公告)号：JP2021180057A
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020083622
申请日：2020-05-12
Applicant: 山陽特殊製鋼株式会社
Abstract: 【課題】パーティクル発生が少ないスパッタリングターゲット材の提供。 【解決手段】このスパッタリングターゲット材の材質は、Co及び/又はFeと、Nb、Ta、Mo及びWからなる群から選択される少なくとも1種の元素Mと、不可避的不純物とを含む合金である。この合金中の、Co、Fe及び元素Mの組成は、一般式(Co X −Fe 100−X ) 100−Y −M Y で示される。この式中、Xは0以上100以下であり、Yは4以上28以下である。このターゲット材の断面に存在する長径0.1μm以上の酸化物粒子を4個以上含む酸化物集合体の数は、100mm 2 あたり1.5個以下である。磁気記録媒体は、このターゲット材を用いたスパッタリングにより得られる軟磁性層を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021178748A
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020084118
申请日：2020-05-12
Applicant: 株式会社コベルコ科研
Inventor： 田尾 幸樹
IPC: C04B35/453 , C04B35/626 , C23C14/34 , B22F3/10 , B22F1/00 , C04B35/645
Abstract: 【課題】本発明は、割れの抑制された焼結体を容易に製造することが可能な焼結体の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明の一態様に係る焼結体の製造方法は、金属粉末及び金属酸化物粉末を含む原料粉末の造粒物を形成する工程と、上記造粒物を焼成する工程とを備え、上記原料粉末が金属元素として、Mn、Cu及びZnを含み、上記原料粉末における上記金属粉末の体積比率が28.0体積%以上であり、上記焼成工程における焼結圧力が20MPa以上である。 【選択図】図1
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