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公开(公告)号：JP6078189B1
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2016071397
申请日：2016-03-31
申请人： JX金属株式会社
摘要： 【課題】結晶粒界に残存する微細な穴(マイクロポア)を低減させた酸化インジウム−酸化亜鉛系酸化物(IZO)焼結体スパッタリングターゲットの提供。 【解決手段】酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉とを仮焼して得られた仮焼粉を成型、焼結することで得られる、IZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法において、仮焼き条件を厳密に制御することで、ターゲットを構成する酸化物がIn 2 O 3 とZn k In 2 O k+3 (k=3、4、5)の複合酸化物であり、ターゲットの相対密度が98.4%以上であることを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲット。 【選択図】図1
摘要翻译： 提供了基于氧化锌氧化物（IZO）烧结体溅射靶 - 甲晶界的微结构其余的孔具有减小（微细孔）的氧化铟。 通过煅烧的氧化铟粉末的氧化锌粉末而得到的成型的煅烧粉末，由烧结获得，在IZO烧结体溅射靶的制造方法中，严格煅烧条件 通过控制构成目标氧化铟和氧化的复合氧化物ZnkIn2Ok + 3（K = 3,4,5）时，目标的IZO相对密度为等于或不低于98.4％以下 烧结体溅射靶。 点域1
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公开(公告)号：JP5969146B1
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2016004135
申请日：2016-01-13
申请人： JX金属株式会社
发明人： 山口 洋平
摘要： 【課題】本発明は、歪みが少なく強度が高い円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。または、均質性の高い円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明の一実施形態によるスパッタリングターゲットは、円筒型焼結体を有し、円筒型焼結体の相対密度が99.7%以上99.9%以下である。また、円筒型スパッタリングターゲットは、一定のスペースを介して隣接する複数の円筒型焼結体を有し、隣接する複数の円筒型焼結体間の相対密度の差が0.1%以下であってもよい。 【選択図】図1
摘要翻译： 本发明公开的目的是提供更小的失真的高强度圆筒形溅射靶，一个圆柱状烧结体，其制备圆筒状成形体和方法。 或，并提供高圆筒形溅射靶的均匀性，圆柱状烧结体，其制备圆筒状成形体和方法。 根据本发明的实施例的溅射靶具有圆柱形烧结体，所述圆柱状烧结体的相对密度为99.9％以上99.7％。 此外，圆筒形溅射靶具有多个通过一定的空间相邻的圆柱形烧结体的，在相邻的多个圆柱状烧结体之间的相对密度差不大于0.1％以上 不错。 点域1
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公开(公告)号：JP6293359B2
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2017502320
申请日：2016-02-19
申请人： JX金属株式会社
CPC分类号： C23C14/3407 , C01G15/006 , C01P2002/50 , C01P2002/60 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C23C14/3414
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公开(公告)号：JP6285076B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2017507614
申请日：2016-02-19
申请人： JX金属株式会社
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/01 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6565 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/3414
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公开(公告)号：JP2016186117A
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：JP2015067552
申请日：2015-03-27
申请人： JX金属株式会社
发明人： 山口 洋平
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3491 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/94 , C04B2235/963
摘要： 【課題】本発明は、歪みが少なく強度が高い円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。または、均質性の高い円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明の一実施形態によるスパッタリングターゲットは、円筒型焼結体を有し、円筒型焼結体の相対密度が99.7%以上99.9%以下である。また、円筒型スパッタリングターゲットは、一定のスペースを介して隣接する複数の円筒型焼結体を有し、隣接する複数の円筒型焼結体間の相対密度の差が0.1%以下であってもよい。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：为了提供圆柱形溅射靶，圆柱形烧结体，具有低变形和高强度的圆柱形压块及其制造方法，或提供圆柱形溅射靶，圆柱形烧结体， 具有高均匀性的圆柱形压块及其制造方法。解决方案：根据本发明的一个实施方案的溅射靶具有圆柱形烧结体，并且圆柱形烧结体的相对密度为99.7％以上且99.9％以下。 此外，圆柱形溅射靶具有与预定间隔相邻的多个圆柱形烧结体，相邻的圆柱形烧结体之间的相对密度差可以为0.1％以下。图示：图1
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公开(公告)号：JP2017179537A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016071397
申请日：2016-03-31
申请人： JX金属株式会社
摘要： 【課題】結晶粒界に残存する微細な穴(マイクロポア)を低減させた酸化インジウム−酸化亜鉛系酸化物(IZO)焼結体スパッタリングターゲットの提供。 【解決手段】酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉とを仮焼して得られた仮焼粉を成型、焼結することで得られる、IZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法において、仮焼き条件を厳密に制御することで、ターゲットを構成する酸化物がIn 2 O 3 とZn k In 2 O k+3 (k=3、4、5)の複合酸化物であり、ターゲットの相対密度が98.4%以上であることを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲット。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016188425A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2016004135
申请日：2016-01-13
申请人： JX金属株式会社
发明人： 山口 洋平
摘要： 【課題】本発明は、歪みが少なく強度が高い円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。または、均質性の高い円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明の一実施形態によるスパッタリングターゲットは、円筒型焼結体を有し、円筒型焼結体の相対密度が99.7%以上99.9%以下である。また、円筒型スパッタリングターゲットは、一定のスペースを介して隣接する複数の円筒型焼結体を有し、隣接する複数の円筒型焼結体間の相対密度の差が0.1%以下であってもよい。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：为了提供一种具有很小变形和高强度的圆柱形的溅射靶，圆柱形烧结体和圆柱形压块，以及前者的制造方法或高均匀性的圆柱形溅射靶，具有圆柱形 烧结体，圆柱形压块及其制造方法。解决方案：根据本发明的一个实施方案的溅射靶包括相对密度为99.7％至99.9％的圆柱形烧结体。 此外，圆柱型溅射靶可以包括通过恒定间隔相邻的多个圆柱形烧结体，并且相邻的圆柱形烧结波长之间的相对密度的差可以为0.1％以下。选择的图：图1
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公开(公告)号：JP5887625B1
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2015067552
申请日：2015-03-27
申请人： JX金属株式会社
发明人： 山口 洋平
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3491 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/94 , C04B2235/963
摘要： 【課題】本発明は、歪みが少なく強度が高い円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。または、均質性の高い円筒型スパッタリングターゲット、円筒型焼結体、円筒型成形体及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明の一実施形態によるスパッタリングターゲットは、円筒型焼結体を有し、円筒型焼結体の相対密度が99.7%以上99.9%以下である。また、円筒型スパッタリングターゲットは、一定のスペースを介して隣接する複数の円筒型焼結体を有し、隣接する複数の円筒型焼結体間の相対密度の差が0.1%以下であってもよい。 【選択図】図1
摘要翻译： 本发明公开的目的是提供更小的失真的高强度圆筒形溅射靶，一个圆柱状烧结体，其制备圆筒状成形体和方法。 或，并提供高圆筒形溅射靶的均匀性，圆柱状烧结体，其制备圆筒状成形体和方法。 根据本发明的实施例的溅射靶具有圆柱形烧结体，所述圆柱状烧结体的相对密度为99.9％以上99.7％。 此外，圆筒形溅射靶具有多个通过一定的空间相邻的圆柱形烧结体的，在相邻的多个圆柱状烧结体之间的相对密度差不大于0.1％以上 不错。 点域1
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