发明专利
- 专利标题： 半導体装置および半導体集積システム
- 专利标题（英）： JP2018092690A - Semiconductor device and a semiconductor integrated system
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申请号： JP2016232846申请日： 2016-11-30
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公开(公告)号： JP2018092690A公开(公告)日： 2018-06-14
- 发明人: 佐藤 創
- 申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 申请人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 代理商 特許業務法人深見特許事務所
- 主分类号： G11C5/00
- IPC分类号： G11C5/00 ; G11C11/401 ; G01R31/28 ; G11C29/12
摘要：
【課題】簡易な方式でメモリチップにアクセスしてテストすることが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】複数のチップを共通のパッケージ内に搭載する半導体装置1において、所定の機能を有するロジックチップPUと、ロジックチップと接続され、データを記憶するメモリチップMDとを備える。メモリチップは、メモリチップの動作試験を行うメモリチップ試験回路と、メモリチップ試験回路と、パッケージの外部に設けられたシリアルバスとの間でデータの授受を実行するためのシリアルバスインタフェース回路SIFとを含む。 【選択図】図1
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