Invention Patent
- Patent Title: スパッタリングターゲットの加工方法、スパッタリングターゲットの加工装置、スパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲット製品の製造方法
- Patent Title (English): JP2018131687A - Processing method of sputtering target, processing device of sputtering target, sputtering target, and production method of sputtering target product
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Application No.: JP2018016407Application Date: 2018-02-01
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Publication No.: JP2018131687APublication Date: 2018-08-23
- Inventor: 藤田 昌宏 , 西岡 宏司
- Applicant: 住友化学株式会社
- Applicant Address: 東京都中央区新川二丁目27番1号
- Assignee: 住友化学株式会社
- Current Assignee: 住友化学株式会社
- Current Assignee Address: 東京都中央区新川二丁目27番1号
- Agent 松谷 道子; 吉田 環
- Priority: JP2017027098 2017-02-16
- Main IPC: B23C1/06
- IPC: B23C1/06 ; B23C3/00 ; C23C14/34
Abstract:
【課題】歪みの少ないスパッタリングターゲットを実現できるスパッタリングターゲットの加工方法を提供する。 【解決手段】スパッタリングターゲットの加工方法は、スパッタリングターゲットのスパッタリング面または対向面を固定台に設置して、スパッタリングターゲットを固定台に固定する工程と、スパッタリングターゲットの外周面の周方向に削り工具を回転させながら、スパッタリングターゲットの外周面を削り工具により削る工程とを有する。 【選択図】図1
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