【課題】露光波長における十分な光学濃度と、露光波長より長波長側の波長域での十分な反射率とを確保し、遮光膜が薄膜化され、かつフォトレジストの電子ビーム描画時の帯電を抑制可能なフォトマスクブランクに最適な導電性反射膜等の光学膜を、提供する。 【解決手段】透明基板上に、遮光部及び透光部を有する膜パターンが形成され、透光部から露光光を透過させて膜パターンを転写する透過型フォトマスクの素材となり、透明基板と、15原子%以上40原子%以下のクロムと、酸素、窒素及び炭素から選ばれる軽元素とからなるクロム化合物からなる遮光膜と、金属を60原子%以上含有し、遮光膜に対向する側の露光光の波長以上で波長500nm以下の所定の波長の光に対する反射率を膜厚で除して求められる、膜厚1nm当たりの反射率が2.5%/nm以上であり、シート抵抗が2,000Ω/□以下である導電性反射膜とを有する。 【選択図】図2