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公开(公告)号：JP2017058562A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015184560
申请日：2015-09-18
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F1/30
摘要： 【解決手段】透明基板1上に、エッチングストッパー膜2と遮光膜3とエッチングマスク膜4とを有し、透明基板側の露光波長における反射率が35%以下であり、エッチングストッパー膜が、透明基板に接して配置された反射防止層として機能する第1の層と、フッ素系ドライエッチングに対する高耐性層として機能する第2の層とで構成され、第1の層及び第2の層のうちの、一方が圧縮応力を有する層、他方が引張応力を有するフォトマスクブランク100。 【効果】フォトマスクを用いた露光において、透明基板側からの反射が抑制された良好な転写性を与えることができ、また、膜応力が低いエッチングストッパー膜を有するフォトマスクブランクであり、フォトマスクのマスクパターン形成後のエッチングストッパー膜の膜応力の解放が小さいことから、高精度なフォトマスクパターンが形成できる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020190737A
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：JP2020122062
申请日：2020-07-16
申请人： 信越化学工業株式会社
摘要： 【解決手段】透明基板10上に、第1の膜1を介して又は介さずに形成された遮光膜である第2の膜2と、ハードマスク膜である第3の膜3と、第4の膜4とを有し、第1の膜及び第3の膜が、塩素系ドライエッチングに対して耐性を有し、かつフッ素系ドライエッチングで除去可能な材料、第2の膜及び第4の膜が、フッ素系ドライエッチングに対して耐性を有し、かつ塩素系ドライエッチングで除去可能な材料で構成され、第4の膜を一の条件で塩素系ドライエッチングしたときのエッチングクリアタイムが、第2の膜を上記一の条件で塩素系ドライエッチングしたときのエッチングクリアタイムより長いフォトマスクブランク。 【効果】フォトマスク製造におけるパターン形成工程において、外枠パターンを形成した後に、簡易な工程でフォトマスクパターンを形成することができ、また、外枠パターンを先に形成することで、レジスト残渣による欠陥発生の可能性を低減できる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019066876A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2018237397
申请日：2018-12-19
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F1/26
摘要： 【課題】露光波長における十分な光学濃度と、露光波長より長波長側の波長域での十分な反射率とを確保し、遮光膜が薄膜化され、かつフォトレジストの電子ビーム描画時の帯電を抑制可能なフォトマスクブランクに最適な導電性反射膜等の光学膜を、提供する。 【解決手段】透明基板上に、遮光部及び透光部を有する膜パターンが形成され、透光部から露光光を透過させて膜パターンを転写する透過型フォトマスクの素材となり、透明基板と、15原子%以上40原子%以下のクロムと、酸素、窒素及び炭素から選ばれる軽元素とからなるクロム化合物からなる遮光膜と、金属を60原子%以上含有し、遮光膜に対向する側の露光光の波長以上で波長500nm以下の所定の波長の光に対する反射率を膜厚で除して求められる、膜厚1nm当たりの反射率が2.5%/nm以上であり、シート抵抗が2,000Ω/□以下である導電性反射膜とを有する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2016033652A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2015112959
申请日：2015-06-03
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F1/38
摘要： 【解決手段】透明基板上に光学膜が形成されたフォトマスクブランクの設計方法であって、フォトマスクブランクが、露光光を透過させて、透明基板上に形成された膜パターンを転写する透過型フォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであり、光学膜を、その反射率を厚さで除した単位厚さあたりの反射率を指標として選定するフォトマスクブランクの設計方法。 【効果】露光波長における十分な光学濃度と、露光波長より長波長側の波長域での十分な反射率とを確保し、遮光膜が薄膜化され、かつフォトレジストの電子ビーム描画時の帯電を抑制可能なフォトマスクブランクに最適な導電性反射膜等の光学膜を、効率よく選定できる。 【選択図】図2
摘要翻译： 解决方案：提供一种用于设计具有形成在透明基板上的光学膜的光掩模坯料的方法，其特征在于，所述光掩模坯料用作透射光掩模的原材料，用于透射曝光光以转印形成在 透明基板，并且根据每单位厚度的反射率选择光学膜作为通过将光学膜的反射率除以其厚度而定义的指标。通过该方法，可以使用诸如导电反射的光学膜 可以有效地选择适合于具有以下特征的光掩模坯料的膜。 光掩模坯料确保在曝光波长下的足够的光密度，并且在比曝光波长更长波长侧的波长区域中具有足够的反射率，具有更薄的遮光膜，并且可以抑制在光致抗蚀剂上的电子束拉制期间的电荷积聚。 绘图：图2
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公开(公告)号：JP2017223972A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2017147969
申请日：2017-07-31
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F1/26
摘要： 【課題】フォトレジストの薄膜化が可能となり、微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することが可能となるフォトマスクブランクを提供する。 【解決手段】透明基板と、Crと、O及び/又はNと、Cとを含有し、Crが50原子%以下、OとNとの合計が25原子%以上、かつCが5原子%以上であるCrC化合物層と、CrC化合物層とは組成が異なるCr化合物層との組み合わせからなる2以上の層で構成されたCr含有膜とを含み、CrC化合物層が遮光膜であり、Cr化合物層として、CrO層又はCrON層を含み、CrC化合物層の合計の厚みが、Cr含有膜全体の厚みの60%以上とすることにより、ドライエッチング速度を高くし、Cr含有膜のパターンを形成する際のエッチングマスクとして用いられるフォトレジストへのドライエッチング中の負荷を軽減する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017027020A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016100228
申请日：2016-05-19
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F1/32
摘要： 【解決手段】透明基板と、透明基板から離間する側の最表部に形成された抵抗率が0.1Ω・cm以上の抵抗層と、抵抗層の透明基板側に接して形成された抵抗率が0.1Ω・cm未満の導電層とを有し、抵抗層が、単層で又は2以上の副層で構成された多層で構成され、抵抗層における抵抗率と厚さとの積の和である抵抗指数Aが、1.5×10 5 ≧A×α+ρ C /d C (αは定数、ρ C は導電層の抵抗率、d C は導電層の厚さ)を満たすフォトマスクブランク。 【効果】フォトマスクとしたときに必要な光学特性を、より薄膜の積層膜で確保したフォトマスクブランクに、電子線描画装置を用いてマスクパターンを描画する際に、接地を点接触とした電子線描画装置を用いた場合にあっても、必要とする十分に低い抵抗値で接地が確保され、レジスト膜の電子線描画時の帯電を抑制して、高い描画位置精度でパターン転写することができる。 【選択図】図4
摘要翻译： 和透明基板，其在电阻率0.1形成的最外面的部分欧姆·cm以上的电阻层和与所述电阻层的上侧形成的电阻率从透明基板远离接触的透明基板 且小于0.1欧姆的导电层·cm时，电阻层是单层，或两个或一个子层，其电阻率的乘积的总和和所述电阻层的电阻的厚度构成的多个多层形成 指数a是光掩模坯料满足1.5×105≧一个×α+ρC/ DC（α是一个常数，所述.rho.c导电层的电阻率，dc为导电层的厚度）为。 所需的效果的光学特性时，光掩模中，光掩模坯料确保较薄的膜的叠层膜，拉丝使用电子束描绘装置的掩模图案，并与地面电子点接触时 即使在使用画线部的情况下，则在必要时，分配抑制抗蚀剂膜的电子束光刻在充电期间，与高写入位置精度图案转移一个足够低的电阻值固定的接地 它可以是。 点域4
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