【課題】リードフレーム構造により小型化・大電流容量化、低コスト化可能で、かつ半導体デバイスを損傷することなく溶接のバラツキを抑制し歩留まりを向上したパワーモジュールおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】パワーモジュール20は、第1金属回路パターン3と、第1金属回路パターン3上に配置された半導体デバイス1と、半導体デバイス1と電気的に接続されるリードフレーム15と、半導体デバイス1の上面に配置され、半導体デバイス1とリードフレーム15との間の熱膨張係数差を緩衝可能である応力緩衝層14とを備える。リードフレーム15は、応力緩衝層14を介して半導体デバイス1と接続されると共に、応力緩衝層14の熱膨張係数がリードフレーム15の熱膨張係数以下であり、かつ応力緩衝層14の断面形状がL字型である。 【選択図】図12