ダイシングダイボンドフィルム
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2022000933A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:JP2021166767

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 【課題】ダイボンドフィルムのピックアップ適性及びダイボンド適性に優れながら、常温エキスパンド時及びその後において、ダイボンドフィルムと粘着剤層との間で浮きが起こりにくいダイシングダイボンドフィルムを提供する。 【解決手段】基材と、前記基材上に積層された粘着剤層とを有するダイシングテープと、前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムと、を有し、前記ダイボンドフィルムの、周波数10Hzの条件で測定される25℃における貯蔵弾性率E’が3〜5GPaである、ダイシングダイボンドフィルム。 【選択図】図1

    傾斜補正装置、加工装置および傾斜補正方法

    公开(公告)号:JPWO2020241753A1

    公开(公告)日:2021-12-23

    申请号:JP2020021114

    申请日:2020-05-28

    Abstract: 加工装置(1)は、加工対象(4)が載置される載置台(26)の載置面と、載置された加工対象(4)を加圧する底面と、載置台(26)の載置面を撮影して、載置台(26)の載置面の画像の画像データを生成するカメラ装置(32)と、画像データを処理し、載置台(26)の載置面と底面との傾斜を補正する補正方向および補正量を求める画像処理装置と、求められた補正方向および補正量に従って、載置台(26)の載置面および底面の少なくとも一方の傾斜を変更し、載置台(26)の載置面および底面の傾斜を、予め決められた範囲内に補正する補正処理装置と、を備える。

    供給線路用の接続舌片を備えたモジュール

    公开(公告)号:JP2021193732A

    公开(公告)日:2021-12-23

    申请号:JP2021094972

    申请日:2021-06-07

    Abstract: 【課題】1000V超の電圧と100A超の電流とが供給線路を介して印加されるモジュール及び方法を提供する。 【解決手段】モジュール(1)は、電気的に絶縁性の支持体(2)、第1の端部(23)と第2の端部(24)とにより画定された金属化領域(4)を介して支持体(2)に接合されており、0.3mmよりも大きな材料厚さを有する接続手段(3)、必要に応じて接続手段(3)に電気的に接続されている電子コンポーネント(19、20)および冷却手段(14)を有している。電力供給が外部から接続手段(3)を介して直接、モジュールに対して行われ、ひいては、一般的なボンディングプロセスが省かれ、電力供給部における寄生インダクタンスが回避されるように、接続手段(3)が、金属化領域(4)の一方の端部(23、24)を越えて突出している。この領域(9)では、支持体(2)に位置固定されておらず、コンタクト手段(22)を有している。 【選択図】図1

    吸着機構、物品の製造装置、半導体製造装置

    公开(公告)号:JP2021192423A

    公开(公告)日:2021-12-16

    申请号:JP2021042779

    申请日:2021-03-16

    Abstract: 【課題】コレットやリードフレーム保持体などのように、ワークを吸着するツールを交換する際に、取り付け調整作業に過度の負担を要することなく、リークが抑制された状態でツールを装着できるダイボンダが求められていた。 【解決手段】吸引によりワークを吸着可能なツールと、吸引経路を備えたツールホルダと、前記ツールホルダが前記ツールを保持する際に、前記ツールホルダに対する前記ツールの相対位置を位置決めする位置決め部と、を備え、前記位置決め部は、前記ツールと前記ツールホルダの一方に配置され、弾性材料により形成されテーパ面を有する少なくとも1つの凸部と、前記ツールと前記ツールホルダの他方に配置され、前記凸部と嵌合可能な少なくとも1つの凹部を備える、ことを特徴とする吸着機構を備える。 【選択図】図3

    半導体装置
    9.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021190456A

    公开(公告)日:2021-12-13

    申请号:JP2020091244

    申请日:2020-05-26

    Inventor: 早瀬 雄一郎

    Abstract: 【課題】半導体素子の固定時に、余剰はんだが矩形状のような角部を有する溝から流出することを抑制することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第一の金属板11、第一の金属板11と対向して配置された第二の金属板12、第一の金属板11と第二の金属板12との間に配置された半導体素子15、第一の金属板11と第二の金属板12との間に配置されたブロック体14を有する。また、第一の金属板11と第二の金属板12との間に設けられ、ブロック体14を第一の金属板11又は第二の金属板12に接合するはんだ13を備える。さらに、第一の金属板11における半導体素子15を設ける領域を囲むように溝16を設ける。溝16の内側の面は傾斜面17であって、溝16の角部にあたる傾斜面17に粗化領域19を有するものである。 【選択図】図1

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