发明专利
- 专利标题: レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
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申请号: JP2018101873申请日: 2018-05-28
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公开(公告)号: JP2019207297A公开(公告)日: 2019-12-05
- 发明人: グエン カンティン , 新井 雅俊
- 申请人: 東京応化工業株式会社
- 申请人地址: 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 专利权人: 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人: 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人地址: 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 代理商 棚井 澄雄; 松本 将尚; 宮本 龍; 飯田 雅人
- 主分类号: G03F7/039
- IPC分类号: G03F7/039 ; C07C309/17 ; C07C309/12 ; C07C309/06 ; G03F7/20 ; C07D313/06 ; G03F7/004
摘要:
【課題】OoB耐性が良好で、かつ、リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】一般式(bd1)で表される、アニオン部とカチオン部とからなる化合物を含有するレジスト組成物。Rx 1 〜Rx 4 、Ry 1 〜Ry 2 、Rz 1 〜Rz 4 は、炭化水素基もしくは水素原子を表すか、又は相互に結合して環構造を形成していてもよく、少なくとも1個はアニオン基を有する。M m+ は、ベンゼン環の数が0〜2である特定の炭化水素基を有するスルホニウム、ヨードニウムカチオン。 【選択図】なし
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