公开(公告)号：JP6902832B2

公开(公告)日：2021-07-14

申请号：JP2016128162

申请日：2016-06-28

申请人： 東京応化工業株式会社

发明人： 鈴木 一生 ,  矢萩 真人 ,  福村 友貴 ,  海老澤 和明 ,  小室 嘉崇 ,  高山 寿一 ,  神園 喬 ,  藤井 達也

IPC分类号： G03F7/039 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C211/63 ,  C07D333/76 ,  C07D327/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

公开(公告)号：JP2021070695A

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：JP2020179217

申请日：2020-10-26

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 嶋田 雅彦 ,  市川 幸司

IPC分类号： C07C309/17 ,  C07C309/12 ,  C09K3/00 ,  C07D307/00 ,  C08F8/00 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  C07C381/12

摘要： 【課題】良好な解像度を有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。 [式中、Q 1 及びQ 2 は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。R 1 及びR 2 は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。zは0〜6の整数を表す。X 1 は、*−CO−O−、*−O−CO−、*−O−CO−O−又は*−O−を表し、*は、C(R 1 )(R 2 )又はC(Q 1 )(Q 2 )との結合部位を表す。L 1 は、単結合又は置換基を有してもよい炭化水素基を表す。R 3 は、水素原子又は飽和炭化水素基を表す。R 4 は飽和炭化水素基を表す。Z + は有機カチオンを表す。] 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2020186240A

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：JP2020120796

申请日：2020-07-14

申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC

发明人： イマッド・アカッド ,  ジェームス・ダブリュ・サッカレー

IPC分类号： C08F220/26 ,  C08F212/04 ,  C07C309/12 ,  C07C25/00 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  C07D333/76

摘要： 【課題】光酸発生剤及びコポリマーを含むフォトレジスト組成物の提供。 【解決手段】式(I)を有する光酸発生剤化合物。 「I」はヨウ素を表し、Vは、OR 1 またはC(=O)OR 1 であり、式中、R 1 は、独立して、H、または任意選択でO、S、N、P、及びFから選択される1〜5個のヘテロ原子を含み、かつ任意選択で、酸開裂基、重合性基、またはこれらの組み合わせを含む置換または非置換C 1−30 ヒドロカルビル基。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020083760A

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：JP2018214718

申请日：2018-11-15

申请人： 信越化学工業株式会社

发明人： 小野 絵実子 ,  提箸 正義 ,  福島 将大 ,  計良 祐紀

IPC分类号： C07C381/12 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/20 ,  C07C309/12

摘要： 【課題】KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、電子線、極端紫外線等の高エネルギー線を光源とするフォトリソグラフィーにおいて、欠陥が少なく、感度、LWR、MEF、CDU等に優れる化学増幅レジスト組成物、及び該化学増幅レジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】下記式(A)で表される塩化合物。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6705303B2

公开(公告)日：2020-06-03

申请号：JP2016125021

申请日：2016-06-23

申请人： JSR株式会社

发明人： 北野 奈津実 ,  錦織 克聡 ,  古川 泰一

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C309/07 ,  C09K3/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

公开(公告)号：JP2020075910A

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：JP2019190328

申请日：2019-10-17

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 小室 勝洋 ,  安江 崇裕 ,  市川 幸司

IPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  C07C309/17

摘要： 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】式(I)で表される塩及びこれを含むレジスト組成物。 [式中、Q 1 及びQ 2 、R 1 及びR 2 は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基等;zは0〜6の整数;X 1 は、*−CO−O−等;L 1 は、単結合又はメチレン基;R 3 は、水素原子、式(1a)で表される基又は式(2a)で表される基;Z + は有機カチオン;R aa1 、R aa2 及びR aa3 は、それぞれアルキル基;naaは0又は1;R aa1’ 及びR aa2’ は、それぞれ水素原子又はアルキル基;R aa3’ はアルキル基;X c は酸素原子又は硫黄原子;m3は、1〜3の整数;R 4 は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルキル基等;m4は0〜4の整数を表す。] 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2019207297A

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：JP2018101873

申请日：2018-05-28

申请人： 東京応化工業株式会社

发明人： グエン カンティン ,  新井 雅俊

IPC分类号： G03F7/039 ,  C07C309/17 ,  C07C309/12 ,  C07C309/06 ,  G03F7/20 ,  C07D313/06 ,  G03F7/004

摘要： 【課題】OoB耐性が良好で、かつ、リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】一般式(bd1)で表される、アニオン部とカチオン部とからなる化合物を含有するレジスト組成物。Rx 1 〜Rx 4 、Ry 1 〜Ry 2 、Rz 1 〜Rz 4 は、炭化水素基もしくは水素原子を表すか、又は相互に結合して環構造を形成していてもよく、少なくとも1個はアニオン基を有する。M m+ は、ベンゼン環の数が0〜2である特定の炭化水素基を有するスルホニウム、ヨードニウムカチオン。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2019529358A

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：JP2019508934

申请日：2017-09-06

申请人： ユニリーバー・ナームローゼ・ベンノートシヤープ

发明人： アウ,バン ,  ハリチアン,ビジャン

IPC分类号： C07C309/12 ,  C07C309/15 ,  C07C303/22

摘要： 本発明は、アミドタウレート(ATA)の収率に優れ、且つ最終的なATA及びDEFI混合物が実質的に褐変しない、DEFI及びATAの混合物を調製するためのプロセスを含む。本プロセスは、DEFI対ATAの比において、はるかに高い柔軟性を可能にする。さらに本発明は、本発明のプロセスにより調製された混合物にも関する。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2019026572A

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：JP2017145057

申请日：2017-07-27

申请人： SHINETSU CHEMICAL CO

发明人： OHASHI MASAKI ,  HATAKEYAMA JUN ,  ADACHI TEPPEI

IPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/12 ,  C07D279/20 ,  C07D327/08 ,  C07D335/12 ,  C07D335/16 ,  C07D339/08 ,  C08F220/38 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

摘要： 【課題】ポジ型又はネガ型レジスト組成物において、高感度かつLWRやCDUが小さく、更に解像性に優れたレジスト組成物、及びこれを用いるパターン形成方法の提供。【解決手段】2−アシル−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート構造を有するアニオン及び式(1b)又は(1c)で表されるスルホニウムカチオンを含むスルホニウム塩。(式中、Aは、重合性基を含む有機基;R1〜R3は夫々独立にハロゲン、ニトロ、シアノ、ヘテロ原子を含んでも良い、直鎖/分岐/環状C1〜20の炭化水素基;Xは単結合、O、NH、等;p、q’及びr’は各々独立に0〜4の整数;q及びrは各々独立に0〜5の整数)【選択図】なし

公开(公告)号：JP6461919B2

公开(公告)日：2019-01-30

申请号：JP2016513766

申请日：2015-04-10

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 後藤 研由 ,  白川 三千紘 ,  加藤 啓太 ,  吉野 文博 ,  山本 慶

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  C07C381/12 ,  C07C309/12 ,  C07C309/06 ,  C07C309/17 ,  C07D333/06 ,  C07D327/06 ,  C07D217/08 ,  C07D493/18 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004