Invention Patent
- Patent Title: 永久磁石内蔵型ソレノイド
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Application No.: JP2018101444Application Date: 2018-05-28
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Publication No.: JP2019207914APublication Date: 2019-12-05
- Inventor: 中川 雄介 , 松井 健志 , 河原 寛之
- Applicant: 株式会社不二越
- Applicant Address: 東京都港区東新橋一丁目9番2号
- Assignee: 株式会社不二越
- Current Assignee: 株式会社不二越
- Current Assignee Address: 東京都港区東新橋一丁目9番2号
- Agent 西田 憲孝; 岡島 明子; 梅本 幸作
- Main IPC: H01F7/16
- IPC: H01F7/16 ; H01F7/121 ; H01F7/122
Abstract:
【課題】複雑な構造とすることなく永久磁石の保持力低下を防止できる永久磁石内蔵型ソレノイドを提供する。 【解決手段】永久磁石内蔵型ロックソレノイド10のボディ11の一端側端面に永久磁石12を設置する。永久磁石12は、磁石磁路形成用ストッパ15によって、コイル軸方向の移動を規制されている。磁石磁路形成用ストッパ15は、コイル軸方向に断面凸部形状で、突出した部分の内側は非通電時において可動鉄心14が内包される内包空間となっている。内包空間を有することで、可動鉄心14の移動距離を長くできるメリットがある上、ボディ11と磁石磁路形成用ストッパ15の近接部に磁気ギャップを設けることで通電時、非通電時に磁石磁路が変更される構造とした。 【選択図】図1
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