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发明专利
JP2021125874A 電力増幅回路、半導体デバイス 审中-公开

電力増幅回路、半導体デバイス
摘要：
【課題】電力増幅回路におけるトランジスタ間の熱結合を強くする。 【解決手段】電力増幅回路は、半導体基板301上に形成されるトランジスタ101と、制御電流の一部に基づいて、バイアス電流をトランジスタ101に供給するトランジスタ111と、温度上昇に伴い流れる電流が増加するトランジスタ112と、トランジスタ111のエミッタと電気的に接続され、半導体基板301に対向して積層される第2のエミッタ配線202及びバンプ203を有する配線部W1と、を有する。第2のエミッタ配線202及びバンプ203の少なくとも一方は、半導体基板301の平面視において、トランジスタ101が配置される配置領域の少なくとも一部から、トランジスタ112が配置される配置領域に重なるように延伸される。 【選択図】図3
摘要（英）：

To strengthen the thermal coupling between transistors in a power amplification circuit.SOLUTION: A power amplification circuit includes: a transistor 101 formed on a semiconductor substrate 301; a transistor 111 supplying bias current to the transistor 101 on the basis of a part of control current; a transistor 112 in which the current flowing therein increases as the temperature increases; and a wiring part W1 connected electrically to an emitter of the transistor 111 and including a second emitter wire 202 and a bump 203 stacked to face the semiconductor substrate 301. At least one of the second emitter wire 202 and the bump 203 extends so as to overlap with an arrangement region where the transistor 112 is disposed from at least a part of an arrangement region where the transistor 101 is disposed in a plan view of the semiconductor substrate 301.SELECTED DRAWING: Figure 3

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