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公开(公告)号：JP2021129171A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020021694
申请日：2020-02-12
申请人： 株式会社デンソー
发明人： 長谷川 延正
摘要： 【課題】ミリ波アンプの出力電圧の振幅を一定に保つことが可能な半導体集積回路を提供する。 【解決手段】発振器150の出力に基づいてCMOSインバータ180で一定振幅の参照信号を出力させる。そして、電圧振幅検出器20の周波数特性が広帯域にわたり変化しないことを利用してレプリカ110の校正を行い、レプリカ110の校正の制御コードを電圧振幅検出器20に与える。これにより、電圧振幅検出器20を校正でき、ミリ波アンプの出力電圧の振幅を、電圧振幅検出器20の出力電圧に対応つけられる。電圧振幅検出器20の出力電圧と参照電圧VREFの誤差を、帰還ループによってミリ波アンプ11の制御電圧にフィードバックすることで、ミリ波アンプ11の出力電圧を一定振幅に保持できる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021125874A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020201727
申请日：2020-12-04
申请人： 株式会社村田製作所
IPC分类号： H03F3/213 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L29/417 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03F1/30
摘要： 【課題】電力増幅回路におけるトランジスタ間の熱結合を強くする。 【解決手段】電力増幅回路は、半導体基板301上に形成されるトランジスタ101と、制御電流の一部に基づいて、バイアス電流をトランジスタ101に供給するトランジスタ111と、温度上昇に伴い流れる電流が増加するトランジスタ112と、トランジスタ111のエミッタと電気的に接続され、半導体基板301に対向して積層される第2のエミッタ配線202及びバンプ203を有する配線部W1と、を有する。第2のエミッタ配線202及びバンプ203の少なくとも一方は、半導体基板301の平面視において、トランジスタ101が配置される配置領域の少なくとも一部から、トランジスタ112が配置される配置領域に重なるように延伸される。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2020108051A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018246803
申请日：2018-12-28
申请人： 株式会社村田製作所
摘要： 【課題】温度上昇に伴うゲインの劣化を抑制しつつ増幅特性の線形性の劣化を抑制した電力増幅回路を構成する。 【解決手段】電力増幅回路201は、高周波信号を電力増幅する電力増幅器PAと、電力増幅器に熱的に結合する温度検出素子を含む電力増幅器用温度検出回路101と、電力増幅器用温度検出回路101から出力される温度検出信号Vdiに基づいて電力増幅器PAに対するバイアス制御信号を発生するバイアス制御信号発生回路21と、温度検出信号を安定化させるレギュレータ回路12と、を備える。そして、電力増幅器PA、電力増幅器用温度検出回路101及びレギュレータ回路12は第1集積回路10に形成され、バイアス制御信号発生回路21は第2集積回路20に形成される。第1集積回路10の基板材料(例えばGaAs)は、第2集積回路20の基板材料(例えばSOI)より遮断周波数が高い。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020519215A
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：JP2020510152
申请日：2018-04-27
发明人： ウエストファル、アーンスト−ハインリッヒ
摘要： 本発明は、少なくとも1つの第1の増幅器トランジスタ(Q1)と少なくとも1つの第2の増幅器トランジスタ(Q2)と、割り当てられた増幅器トランジスタ(Q1、Q2)とそれぞれ熱的にカップリングされている1つまたは複数のバイアスダイオード(D1、D2)とを備え、第1の増幅器トランジスタ(Q1)と第2の増幅器トランジスタ(Q2)とは、プッシュプル回路中で互いに接続されていて、かつ増幅器電圧源(V+、V−)により給電され、バイアスダイオード(D1、D2)は、増幅トランジスタ(Q1、Q2)に対する並列接続でのクロスオーバーひずみの低減または回避のために配置されていて、バイアスダイオード(D1、D2)は、少なくとも部分的に、増幅器電圧源(V+、V−)から独立した電圧源(UA)を用いて給電される、信号を増幅するための信号増幅器回路、特にオーディオ増幅器回路に関する。本発明はさらに、第1の変圧器(T1)と、この第1の変圧器(T1)と接続した第2の変圧器(T2)とを備えるシステム、ならびに出力側の直流電圧を提供する電圧変換器に関する。
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公开(公告)号：JP2020042776A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2019121117
申请日：2019-06-28
申请人： ローム株式会社
摘要： 【課題】温度特性を改善した基準電流源を提供する。 【解決手段】基準電流源100において、第1トランジスタM1と第2トランジスタM2は制御端子同士が接続される。カレントミラー回路110は、第1トランジスタM1を含む第2経路114に、第2トランジスタM2を含む第1経路112に流れる電流I ref と同量の電流を供給し、それとは別の第3経路116に、第1経路112の電流I ref の所定数倍mの電流量の電流を供給する。第3トランジスタM3は第3経路116上に設けられ、そのソースが第1トランジスタM1の一端と接続される。第4トランジスタM4は、第3経路116上であって第3トランジスタM3より低電位側に設けられ、ゲートが第3トランジスタM3のゲートと共通に接続される。抵抗Rは、第4トランジスタM4のソースと第2トランジスタM2の一端の間に設けられる。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6615908B2
公开(公告)日：2019-12-04
申请号：JP2017556541
申请日：2015-04-28
发明人： フリーダ、エング , ミーケル、グスタフソン , ペール、レーベンボリ , マルティン、オルソン
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公开(公告)号：JPWO2018088373A1
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2017039992
申请日：2017-11-06
申请人： 国立大学法人東北大学
摘要： プロセス変動の影響を抑制するバイアス電圧を増幅回路に供給することができるバイアス回路及びそのバイアス回路を用いた増幅装置を提供する。バイアス回路11は、第1電圧出力部14、第2電圧出力部15、電圧比較器16を備える。第1電圧出力部14は、直列に接続された第1電流源21とトランジスタP111から構成される。第1電流源21は、電圧比較器16から出力されるバイアス電圧Vqに応じて電流を増減する。第2電圧出力部15は、直列に接続された第2電流源22とトランジスタN111から構成され、第2電流源22は定電流を流す。電圧比較器16は、それぞれダイオード接続されたトランジスタP111、N111の各ドレイン電圧を比較し、比較結果に応じてバイアス電圧Vqを増減し、各ドレイン電圧が等しくなるようにする。バイアス電圧Vqは、増幅回路12に供給される。増幅回路12は、p型MOSFETを含むソースフォロワ段17、n型MOSFETを含む増幅段18を有する。
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