積層体、硬化性樹脂組成物、積層体の製造方法、半導体装置及び撮像装置

Invention Patent

JP2022002304A 積層体、硬化性樹脂組成物、積層体の製造方法、半導体装置及び撮像装置审中-公开

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Patent Title: 積層体、硬化性樹脂組成物、積層体の製造方法、半導体装置及び撮像装置
Patent Title (English): LAMINATE, CURABLE RESIN COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD OF LAMINATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND IMAGING DEVICE
Application No.: JP2021101662

Application Date: 2021-06-18
Publication No.: JP2022002304A

Publication Date: 2022-01-06
Inventor: 塩島太郎 , 野元颯
Applicant: 積水化学工業株式会社
Applicant Address: 大阪府大阪市北区西天満2丁目4番4号
Assignee: 積水化学工業株式会社
Current Assignee: 積水化学工業株式会社
Current Assignee Address: 大阪府大阪市北区西天満2丁目4番4号
Agent 特許業務法人安富国際特許事務所
Priority: JP2020107274 2020-06-22
Main IPC: H01L21/3205
IPC: H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L27/146 ; H05K3/46 ; C09J201/00 ; C09J201/06 ; C09J11/06 ; H01L21/60

Abstract:

【課題】高い電気的接続信頼性を有する積層体、該積層体に用いられる硬化性樹脂組成物、該積層体の製造方法及び該積層体を有する撮像装置を提供する。【解決手段】電極を有する第1の基板と、有機膜と、電極を有する第2の基板とをこの順に有し、前記第1の基板が有する電極と前記第2の基板が有する電極とが、前記有機膜を貫通する貫通孔を介して電気的に接続された積層体。【選択図】なし

Abstract(English):

To provide a laminate having high electrical connection reliability, a curable resin composition used for the laminate, a manufacturing method of the laminate, and an imaging device having the laminate.SOLUTION: A laminate includes a first substrate having an electrode, an organic film, and a second substrate having an electrode in this order, and the electrode of the first substrate and the electrode of the second substrate are electrically connected to each other through a through hole penetrating an organic film.SELECTED DRAWING: None

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）