Intermediates of the method of manufacturing a semiconductor device and of the resin-encapsulated semiconductor device

Invention Patent

JP4205260B2 Intermediates of the method of manufacturing a semiconductor device and of the resin-encapsulated semiconductor device 有权

Patent Title: Intermediates of the method of manufacturing a semiconductor device and of the resin-encapsulated semiconductor device
Application No.: JP19756199

Application Date: 1999-07-12
Publication No.: JP4205260B2

Publication Date: 2009-01-07
Inventor: 勝喜内海 , 幸雄山口 , 隆広松尾
Applicant: パナソニック株式会社
Assignee: パナソニック株式会社
Current Assignee: パナソニック株式会社
Priority: JP19756199 1999-07-12
Main IPC: H01L21/50
IPC: H01L21/50 ; H01L25/18 ; H01L21/56 ; H01L23/12 ; H01L23/28 ; H01L23/50 ; H01L25/10 ; H01L25/11

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Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的