发明专利
JP5820766B2 フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスク、および、パターン転写方法 有权
一种制造光掩模坯料,光掩模坯料,光掩模的方法,以及图案转印法

  • 专利标题: フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスク、および、パターン転写方法
  • 专利标题(英): A method of manufacturing a photomask blank, photomask blank, photomask, and pattern transfer method
  • 专利标题(中): 一种制造光掩模坯料,光掩模坯料,光掩模的方法,以及图案转印法
  • 申请号: JP2012112509
    申请日: 2012-05-16
  • 公开(公告)号: JP5820766B2
    公开(公告)日: 2015-11-24
  • 发明人: 吉川 博樹深谷 創一稲月 判臣中川 秀夫
  • 申请人: 信越化学工業株式会社
  • 申请人地址: 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
  • 专利权人: 信越化学工業株式会社
  • 当前专利权人: 信越化学工業株式会社
  • 当前专利权人地址: 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
  • 代理商 大野 聖二; 森田 耕司; 片山 健一
  • 主分类号: G03F1/54
  • IPC分类号: G03F1/54
フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスク、および、パターン転写方法
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