发明专利
- 专利标题： 半導体構造体上の無触媒選択的成長方法
- 专利标题（英）： The absence of a catalyst selective growth method on a semiconductor structure
- 专利标题（中）： 在该半导体结构未催化的选择性生长方法
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申请号： JP2014503116申请日： 2012-04-03
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公开(公告)号： JP5905073B2公开(公告)日： 2016-04-20
- 发明人: ジョエル・エイメリ , ダミアン・サロモン , シャオジュン・チェン , クリストフ・デュラン
- 申请人： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
- 申请人地址： フランス国 エフー75015 パリ, バテイマン 「 ル ポナン デー 」, リュ ルブラン 25
- 专利权人： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
- 当前专利权人： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
- 当前专利权人地址： フランス国 エフー75015 パリ, バテイマン 「 ル ポナン デー 」, リュ ルブラン 25
- 代理商 村山 靖彦; 志賀 正武; 渡邊 隆; 実広 信哉
- 优先权： FR1152926 2011-04-05
- 国际申请： EP2012056091 JP 2012-04-03
- 国际公布： WO2012136665 JP 2012-10-11
- 主分类号： H01L21/203
- IPC分类号： H01L21/203 ; C23C16/01 ; C23C16/04 ; C23C14/04 ; C30B25/02 ; H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L21/205
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