公开(公告)号：JP2014518004A

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：JP2014503116

申请日：2012-04-03

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： ジョエル・エイメリ ,  ダミアン・サロモン ,  シャオジュン・チェン ,  クリストフ・デュラン

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/04 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C30B25/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02636 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 特にエレクトロニクスに適用可能な本方法によると、半導体構造体（１２）が第一のガス又は分子流から形成されて、これと同時に又は後に、第二のガス又は分子流が追加されて、構造体の上に誘電体層（１４）をｉｎ ｓｉｔｕで選択的に成長させて、その上に、他の半導体構造体（１５）を第三のガス又は分子流から成長させる。

公开(公告)号：JP5905073B2

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：JP2014503116

申请日：2012-04-03

Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

Inventor： ジョエル・エイメリ ,  ダミアン・サロモン ,  シャオジュン・チェン ,  クリストフ・デュラン

IPC: H01L21/203 ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C23C14/04 ,  C30B25/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L29/0665 ,  H01L2924/0002