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公开(公告)号：JPWO2020075599A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2019038987
申请日：2019-10-02
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 窒化物半導体膜の形成方法は、窒素及びアルゴンを含む真空チャンバ内で窒化ガリウムのターゲットを間欠的にスパッタする工程と、真空チャンバ内でターゲットから飛散した窒化ガリウムのスパッタ粒子を、温度が560℃以上650℃以下の対象物上に堆積させる工程と、を有する。真空チャンバに供給する窒素の流量とアルゴンの流量との和に対する窒素の流量の割合を6%以上18%以下とする。
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公开(公告)号：JP2021116470A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020012352
申请日：2020-01-29
Applicant: キヤノントッキ株式会社
IPC: C23C14/58 , H01L21/203 , H01L21/31 , C23C14/34
Abstract: 【課題】成膜材料の照射とエッチングを行いながら成膜を行う構成を採用しつつ、薄膜の形成位置の精度を高めることを可能とする成膜装置及び電子デバイス製造装置を提供する。 【解決手段】チャンバ10と、チャンバ10内に保持された基板表面に成膜材料を照射する成膜材料照射装置100と、エッチング用ビーム照射装置200と、成膜材料照射装置100とエッチング用ビーム照射装置200とを保持しながら搬送させる搬送装置300と、を備え、搬送装置300により成膜材料照射装置100とエッチング用ビーム照射装置200とを搬送させながら、前記基板に対して成膜動作とエッチング動作を同時に行わせることが可能に構成されていることを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6883334B2
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：JP2017564275
申请日：2017-01-24
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C30B23/00 , C23C14/28 , H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L21/203 , C30B29/06
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5.发明专利
公开(公告)号：KR102241833B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020197014150A
申请日：2011-12-13
Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Inventor： 밍웨이 즈후 , 비벡 아그라왈 , 나그 비. 패티반들라 , 옴카람 나라마수
IPC: H01L33/00 , H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/324 , H01L33/04 , H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/203 , H01L21/324 , H01L33/04 , H01L33/12
Abstract: 물리 기상 증착(PVD)으로 형성된 알루미늄 질화물 버퍼 층들을 갖는 갈륨 질화물-기반 발광 다이오드(LED)들의 제조에 대해 설명된다. 예를 들면, 멀티-챔버 시스템은 알루미늄으로 구성된 타겟을 갖는 물리 기상 증착(PVD) 챔버를 포함한다. 또한, 도핑되지 않은 또는 n-형 갈륨 질화물, 또는 이 둘 모두를 증착하도록 적응되는 챔버가 포함된다. 다른 예에서, 발광 다이오드(LED) 구조를 제조하는 방법은 멀티-챔버 시스템의 물리 기상 증착(PVD) 챔버에서 기판 상에 알루미늄 질화물 층을 형성하는 단계를 포함한다. 도핑되지 않은 또는 n-형 갈륨 질화물 층은 멀티-챔버 시스템의 제 2 챔버에서 알루미늄 질화물 층 상에 형성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6854450B2
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：JP2017162727
申请日：2017-08-25
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
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公开(公告)号：JP2021052067A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2019173448
申请日：2019-09-24
Applicant: 株式会社東芝
IPC: H01L21/203 , H01S5/34
Abstract: 【課題】多重量子井戸層の井戸層の組成比および障壁層の組成比を容易に制御可能な量子カスケードレーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】量子カスケードレーザは、発光量子井戸層と、注入量子井戸層と、を有する。前記発光量子井戸層は、サブバンド間遷移により赤外レーザ光を放出可能であり、複数の層からなる。前記注入量子井戸層は、前記発光量子井戸層から注入されたキャリアのエネルギーを緩和可能であり、複数の層からなる。それぞれの発光量子井戸層と、それぞれの注入量子井戸層と、は交互に積層される。前記注入量子井戸層の障壁層または前記発光量子井戸層の障壁層は、3元系化合物半導体の第1の領域と、前記3元系化合物半導体のIII族原子のうちの1つの原子およびV族原子とを含む2元系化合物半導体薄膜と、前記3元系化合物半導体の第2の領域と、をこの順序に有する。 【選択図】図1
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8.发明专利
公开(公告)号：KR102222576B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140047312A
申请日：2014-04-21
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: C23C14/22 , H01L21/203 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/26
Abstract: 본 발명은, 증착물질을 가열하여 증발시키는 도가니; 일면에는 상기 도가니와 연통되는 유입구가 형성되고, 타면에는 상기 도가니에서 증발된 증착물질을 기판으로 분사시키는 복수의 분사구가 형성된 분배관; 및, 상기 분배관에 형성된 복수의 분사구에 각각 결합되어, 상기 기판으로 분사되는 상기 증발된 증착물질의 분사 방향을 변경할 수 있는 복수의 노즐을 포함하는 증착물질 공급 장치 및 이를 구비한 증착 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：JP2021025118A
公开(公告)日：2021-02-22
申请号：JP2019146605
申请日：2019-08-08
Applicant: 国立大学法人京都工芸繊維大学 , 日本酸素ホールディングス株式会社
IPC: H01L21/203 , C23C14/54 , C23C14/28
Abstract: 【課題】高純度な膜を形成することが可能な半導体成膜装置及びそれを用いた成膜方法並びに半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板保持台上に挿脱可能な第1のシャッターを有する半導体成膜装置において、第1のシャッターを閉じた状態で、窒素ラジカルをチャンバ内に照射し、その後窒素ラジカルを停止して排気する第1のプロセスと、第1のシャッターを閉じた状態でゲッター材料を蒸発させるプロセス2とのうち、少なくとも1つを1回以上実行することを含む排気工程により、チャンバの高真空を実現し、その後基板上に半導体膜を成膜する。その結果、高純度な膜を提供することができ、さらに高純度な半導体膜を形成することが可能であり、良好な半導体装置を得ることができる。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JPWO2019107046A1
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2018040343
申请日：2018-10-30
Applicant: AGC株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/0248 , H01L51/50 , H01L29/786
Abstract: 金属カチオンおよび酸素を含む酸化物系の半導体化合物であって、前記金属カチオンと結合していた水素負イオンH − がフッ素イオンF − で置換されており、1個〜3個の金属カチオンと結合しているフッ素イオンF − を有する、酸化物系の半導体化合物。
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