- 专利标题： スパッタリング用ターゲットの使用方法および酸化物膜の作製方法
- 专利标题（英）： JP6204094B2 - The method for manufacturing a use and oxide film of the sputtering target
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申请号： JP2013147428申请日： 2013-07-16
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公开(公告)号： JP6204094B2公开(公告)日： 2017-09-27
- 发明人: 山崎 舜平
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2012160570 2012-07-19
- 主分类号： C04B35/01
- IPC分类号： C04B35/01 ; C23C14/34
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