公开(公告)号：JP2022002404A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021155776

申请日：2021-09-24

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 筒井 直昭 ,  磯部 敦生 ,  上杉 航 ,  王丸 拓郎

IPC: H03K3/356

Abstract: 【課題】トランジスタのゲートリークにより保持容量に保持されたデータを十分な時間に わたり保持することが困難になってきている。 【解決手段】Siトランジスタで構成された第1の記憶回路と、Siトランジスタで構成 された選択回路と、OSトランジスタと保持容量とによって構成された第2の記憶回路と 、を有し、第2の記憶回路は、直列に接続している2つのOSトランジスタの接続部に保 持容量の片側の端子を接続する構成とし、第2の記憶回路の出力が選択回路の第2の入力 端子に接続され、第2の記憶回路の入力は、選択回路の第1の入力端子又は第1の記憶回 路の出力端子に接続されている構成とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2022002349A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021170024

申请日：2021-10-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  松林 大介 ,  岡崎 豊

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】チャネル長が小さくても、実質的に短チャネル効果が生じず、かつスイッチング 特性の得られるトランジスタを提供する。また、当該トランジスタを適用した集積度の高 い半導体装置を提供する。 【解決手段】シリコンを用いたトランジスタで生じる短チャネル効果が、実質的に生じな い酸化物半導体膜を用いたトランジスタであって、チャネル長を5nm以上60nm未満 、かつチャネル幅を5nm以上200nm未満とする。このとき、チャネル幅をチャネル 長の0.5倍以上10倍以下とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2022002320A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021145866

申请日：2021-09-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2022002319A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021145535

申请日：2021-09-07

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  岸田 英幸

IPC: G09F9/30 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】ソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層との接合をオーミック接合 とした半導体装置の作製方法。 【解決手段】酸化物半導体膜を熱処理する工程を有し、熱処理の工程後、酸化物半導体膜 と、ソース電極層との間には、酸化物半導体膜より酸素の濃度が低い第1の領域が形成さ れ、かつ酸化物半導体膜と、ドレイン電極層との間には、酸化物半導体膜より酸素の濃度 が低い第2の領域が形成される。第1の領域及び第2の領域は酸化物半導体膜より酸素濃 度が低いため、抵抗が低くオーミック接合とすることができる。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2022002311A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021135316

申请日：2021-08-23

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 肥塚 純一 ,  島 行徳 ,  徳永 肇 ,  佐々木 俊成 ,  村山 佳右 ,  松林 大介

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/02 ,  H05B33/28 ,  H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】酸化物半導体膜の欠陥を低減し、電気特性を向上させ、また、信頼性を向上させる酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、基板11上に形成されるゲート電極15、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜17、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる多層膜20及び多層膜に接する一対の電極21、22、該トランジスタを覆う第1の酸化物絶縁膜24及び該第1の酸化物絶縁膜上に形成される第2の酸化物絶縁膜25を備えるトランジスタ50を有する。多層膜は、酸化物半導体膜及びIn若しくはGaを含む酸化物膜を有し、第1の酸化物絶縁膜は、酸素を透過する酸化物絶縁膜であり、第2の酸化物絶縁膜は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2022002228A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021170165

申请日：2021-10-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： ▲ひろ▼木 正明 ,  田島 亮太

IPC: H01M4/70

Abstract: 【課題】ウェアラブルデバイスに適した二次電池を提供することを課題の一とする。また は、新規な蓄電装置を提供することを課題の一とする。 【解決手段】二次電池で用いる電極の一部、具体的には集電体および活物質層を切削加工 し、複雑な形状とすることで、曲率中心に近い電極と比べて曲率中心に遠い電極のほうが 湾曲されて、端部の位置が曲率中心に近い電極の位置とずれることを抑える、或いは曲率 中心に遠い電極に負荷される張力を緩和する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JPWO2020115595A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：JPIB2019060011

申请日：2019-11-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  菅谷 健太郎 ,  方堂 涼太 ,  牧野 賢一郎 ,  長塚 修平

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: 良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。複数のトランジスタを有する半導体装置であって、複数のトランジスタは、それぞれ、第1の絶縁体と、第1の酸化物と、第2の酸化物と、第1の導電体と、第2の導電体と、第3の酸化物と、第2の絶縁体と、第3の導電体と、を有し、複数のトランジスタのチャネル幅方向において、複数のトランジスタの一が有する第3の酸化物と、複数のトランジスタの一に隣接する複数のトランジスタの別の一が有する第3の酸化物と、は、離間して設けられ、複数のトランジスタの一が有する第2の絶縁体は、複数のトランジスタの一に隣接する複数のトランジスタの別の一が有する第2の絶縁体と連続して設けられた領域を有し、複数のトランジスタの一が有する第3の導電体は、複数のトランジスタの一に隣接する複数のトランジスタの別の一が有する第3の導電体と連続して設けられた領域を有する。

公开(公告)号：JPWO2020079572A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：JPIB2019058754

申请日：2019-10-15

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 佐藤 絵莉 ,  大貫 達也 ,  八窪 裕人 ,  國武 寛司

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  G01R19/00 ,  H03F3/45

Abstract: 微小な電流の測定が可能な半導体装置を提供する。オペアンプと、ダイオード素子と、を有する半導体装置であって、電流が入力される第1端子には、オペアンプの反転入力端子と、ダイオード素子の入力端子と、が電気的に接続され、電圧が出力される第2端子には、オペアンプの出力端子と、ダイオード素子の出力端子と、が電気的に接続されている。ダイオード素子として、チャネル形成領域に金属酸化物を有する、ダイオード接続されたトランジスタを用いる。当該トランジスタのオフ電流は極めて低いため、第1端子‐第2端子間に微小な電流を流すことができる。これにより、第2端子から電圧を出力することで、当該電圧から第1端子に流れる微小な電流を見積もることができる。

公开(公告)号：JP2021193753A

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：JP2021153338

申请日：2021-09-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8242

Abstract: 【課題】新たな構造の半導体装置及びその作製方法を提供する。 【解決手段】半導体装置は、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタと、を有する。第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトランジスタは酸化物半導体層を含む。第1のゲート電極と、第2のソース電極又は第2のドレイン電極の一方とは、電気的に接続される。第1の配線と、第1のソース電極とは、電気的に接続される。第2の配線と、第1のドレイン電極とは、電気的に接続される。第3の配線と、第2のソース電極又は第2のドレイン電極の他方とは、電気的に接続される。第4の配線と、第2のゲート電極とは、電気的に接続される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021193678A

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：JP2021151096

申请日：2021-09-16

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 吉住 英子 ,  山口 知也 ,  瀬尾 広美 ,  瀬尾 哲史 ,  鈴木 邦彦 ,  栗原 美樹

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  C09K11/06 ,  H05B33/24

Abstract: 【課題】新たな骨格を有する新規物質として、発光効率が良く、また発光スペクトルの半 値幅が狭くなることにより色純度が向上した有機金属錯体を提供する。 【解決手段】配位原子の窒素を含め窒素を2以上含む6員環の複素芳香環とβ−ジケトン を配位子とする有機金属錯体である。 (式中、Xは、置換もしくは無置換であり、配位原子の窒素を含め窒素を2以上含む6員 環の複素芳香環を表す。また、R 1 〜R 4 は、それぞれ炭素数1〜6のアルキル基を表す 。) 【選択図】なし