成膜方法及び成膜装置

Invention Patent

JP6243290B2 成膜方法及び成膜装置有权

Patent Title: 成膜方法及び成膜装置
Patent Title (English): JP6243290B2 - Film forming method and a film forming apparatus
Application No.: JP2014094683

Application Date: 2014-05-01
Publication No.: JP6243290B2

Publication Date: 2017-12-06
Inventor: 熊谷武司 , 尾谷宗之 , 大久保和哉
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
Applicant Address: 東京都港区赤坂五丁目3番1号
Assignee: 東京エレクトロン株式会社
Current Assignee: 東京エレクトロン株式会社
Current Assignee Address: 東京都港区赤坂五丁目3番1号
Agent 伊東忠重; 伊東忠彦
Main IPC: H01L21/31
IPC: H01L21/31 ; C23C16/455 ; C23C16/50 ; C23C16/40 ; H05H1/46 ; H01L21/316

Public/Granted literature

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择