利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

21736 records (took 0.125 seconds)

    基板処理システム及び基板処理方法
    2.
    发明专利
    基板処理システム及び基板処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2022002312A

    公开(公告)日：2022-01-06

    申请号：JP2021135404

    申请日：2021-08-23

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 田之上 隼斗

    IPC: H01L21/02 ,  B24B7/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304

    Abstract: 【課題】基板同士が接合された重合基板において、一の基板の周縁部を適切に除去する。 【解決手段】基板を処理する基板処理システムであって、第1の基板における除去対象の周縁部と前記第1の基板の中央部との境界に沿って当該第1の基板の内部に改質層を形成する改質層形成装置と、前記周縁部において、前記第1の基板と第2の基板とが接合される界面に所定の処理を行う界面処理装置と、前記改質層形成装置と前記界面処理装置を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は、前記改質層形成装置が前記界面処理装置で処理された前記界面の端部に対応する位置よりも径方向内側に前記改質層を形成する制御、を実行する。 【選択図】図8

    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
    3.
    发明专利
    プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021197524A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020105107

    申请日：2020-06-18

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 川上 聡

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

    Abstract: 【課題】プラズマを用いて基板の周縁のクリーニングを行う場合において、基板の周縁の上面と下面とで成膜状態が異なっていても、基板にダメージなく、基板の周縁の不要な膜を適切に除去する。 【解決手段】基板の周縁をプラズマによりクリーニングするプラズマ処理装置であって、減圧可能に構成され、基板を収容する処理容器を有し、前記処理容器内に、基板を支持し、支持した基板の中央部分と対向する中央電極を含む基板支持台と、前記基板支持台に支持された基板の周縁の下面と対向するように環状に設けられた下部リング電極と、前記基板支持台に支持された基板の周縁の上面と対向するように設けられた上部リング電極と、を有し、前記中央電極は接地され、前記上部リング電極及び前記下部リング電極はそれぞれ高周波電力が供給され、前記上部リング電極及び前記下部リング電極の少なくともいずれか一方は、前記高周波電力の位相を調整する位相調整器を介して、前記高周波電力が供給される。 【選択図】図1

    基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法
    4.
    发明专利
    基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021197489A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020104219

    申请日：2020-06-17

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 阿部 純一

    IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

    Abstract: 【課題】供給配管内の腐食を抑制しつつ、より安全に処理チャンバを大気開放できる基板処理装置およびガス供給配管のパージ方法を提供する。 【解決手段】基板処理装置は、処理チャンバと、ガス供給配管と、処理ガス配管と、パージガス配管と、連動開放部とを有する。処理チャンバは、内部において腐食性の処理ガスにより基板に処理を施す処理チャンバである。ガス供給配管は、処理チャンバに接続され、処理チャンバの内部まで連通している配管である。処理ガス配管は、ガス供給配管に第1のバルブを介して接続され、処理ガスをガス供給配管に導入する。パージガス配管は、第1のバルブの処理チャンバ側において、ガス供給配管に第2のバルブを介して接続され、パージガスをガス供給配管に導入する。連動開放部は、第1のバルブが閉じている状態で、処理チャンバの内部への大気導入と連動して第2のバルブを開放する。 【選択図】図1

    器具、及び器具を用いて視認する方法
    5.
    发明专利
    器具、及び器具を用いて視認する方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021196218A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020101609

    申请日：2020-06-11

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 永井 健治 ,  長▲崎▼ 秀昭 ,  宮舘 孝明

    IPC: H01L21/683 ,  G01B11/00

    Abstract: 【課題】平坦な基準面上の目標位置に光が垂直に照射されることを視認するための技術を提供する。 【解決手段】器具は、粗面加工された表面を有し、光を透過する材料で形成され、マーカが付与されるプレートと、基準面に面接触する平坦な底面、底面の垂直方向に並設された第1ステージ及び第2ステージ、並びに、底面、第1ステージ及び第2ステージを貫通するように形成された光路を有するホルダとを備え、第1ステージ及び第2ステージそれぞれは、ホルダの底面に平行であってプレートを支持する支持面と、プレートのマーカと光路との相対位置を固定するための位置決め面とを有し、第1ステージの位置決め面と第2ステージの位置決め面とは同一平面上に位置し、ホルダは、基準面の垂直方向において光路が目標位置と一致するように基準面上に配置される。 【選択図】図5

    基板処理装置及び基板処理方法
    6.
    发明专利
    基板処理装置及び基板処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020184179A1

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：JP2020007699

    申请日：2020-02-26

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 森 弘明

    IPC: H01L21/68 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B23K26/53 ,  B23K26/046 ,  H01L21/304

    Abstract: 基板処理装置は、保持部に保持された前記第1の基板を撮像する撮像部と、前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部の境界に沿ってレーザ光を照射して改質層を形成する改質部と、前記保持部と前記撮像部を相対的に移動させる第1の移動部と、前記保持部、前記撮像部、前記改質部及び前記第1の移動部を制御する制御部と、を有する。前記撮像部は、前記第1の基板の複数点においてフォーカス調整を行った後、前記第1の基板の複数点を撮像する。前記制御部は、前記撮像部のフォーカス調整及び/又は前記撮像部による撮像を、前記保持部と前記撮像部を相対的に移動させながら行うように、前記保持部、前記撮像部及び前記第1の移動部を制御する。

    プラズマ処理装置
    10.
    发明专利
    プラズマ処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021192425A

    公开(公告)日：2021-12-16

    申请号：JP2021070834

    申请日：2021-04-20

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： ジョン ファジュン ,  鈴木 雅弘 ,  保坂 勇貴 ,  大秦 充敬

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: 【課題】基板エッジにおけるチルティングを制御しつつ、基板の中央及び中間領域におけるプロセス変化を抑制できること。 【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理容器と、プラズマ処理容器内に配置され、静電チャックを含む基板支持部と、静電チャック上の基板を囲むように静電チャック上に配置され、内側環状部分、中間環状部分及び外側環状部分を含む第1のリングであり、内側環状部分の上面は、中間環状部分の上面よりも高く、外側環状部分の上面は、内側環状部分の上面よりも高い、第1のリングと、第1のリングの中間環状部分の上面に配置される第2のリングと、第2のリングの上面を第1の高さに維持するように第2のリングを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータであり、第1の高さは、第1のリングの内側環状部分の上面の高さよりも大きく、且つ、第1のリングの外側環状部分の上面の高さよりも小さい、アクチュエータと、を有する。 【選択図】図1

Patent Agency Ranking