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公开(公告)号：JP2022501500A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021515468
申请日：2019-09-13
IPC分类号： G04B37/22 , C23C16/455 , C23C28/00 , C23C16/40
摘要： 本発明は、1nm〜200nmの厚さを有する保護被膜(4)により銀変色から保護された最終銀メッキ表面を含む基材(1)に関する。保護被膜(4)は、最終銀メッキ表面上に堆積された、0.5nm〜100nmの厚さを有するAl 2 O 3 の第1の被膜(4a)、およびAl 2 O 3 の第1の被膜(4a)上の0.5nm〜100nmの厚さを有するTiO 2 の第2の被膜(4b)を含み、基材(1)は、合金の総重量に対して0.1重量%〜10重量%の銅を含み、最終銀メッキ表面を形成する銀銅合金の被膜(2)を含み、銀銅合金の被膜(2)は、1000nm〜3000nmの厚さを有する。本発明は、そのような基材を製造するための方法にも関する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6980324B1
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2021036247
申请日：2021-03-08
申请人： 株式会社クリエイティブコーティングス
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
摘要： 【課題】 チタン酸バリウム膜を原料ガスと反応ガスとから形成するチタン酸バリウム膜の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ALDサイクルの実施によりチタン酸バリウム膜を成膜する方法であって、ALDサイクルは、酸化チタン膜形成工程と、酸化バリウム膜形成工程とを含み、酸化チタン膜形成工程は第1原料ガスとしてTDMAТ(ТiH[N(CH 3 ) 4 ]を用い、反応ガスとしてOHラジカルを用い、酸化バリウム形成工程は、第2原料ガスとして気化されたバリウム錯体を用い、反応ガスとしてOHラジカルを用い、酸化チタン膜及び酸化バリウム膜を、正順または逆順で交互に形成する。 【選択図】 図3
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公开(公告)号：JPWO2020195497A1
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020007842
申请日：2020-02-26
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368 , C30B29/16
摘要： クラックが低減され、かつ、クラックが生じにくいα−Ga 2 O 3 系半導体膜が提供される。この半導体膜は、α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有する。半導体膜はボイドを含有しており、ボイド内に残留するガスが水を含まない。
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公开(公告)号：JP6959440B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2020516831
申请日：2018-09-21
发明人： アルネパリ, ランガ ラオ , ナイカーク, コリン コンスターノ , メルニーク, ユリー , セス, スレッシュ チャンド , ナーワンカー, プラビン ケー. , チャタルジー, スクティ , スカダー, ランス エー.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C16/50 , C23C16/02
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公开(公告)号：JP2021529098A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2020572770
申请日：2019-06-27
申请人： エービー サンドビック コロマント
发明人： エングクビスト, ヤーン , リンダール, エリック
摘要： 本発明は、基材および被膜を含む被覆切削工具であって、被膜が、内側のα−Al 2 O 3 多層および外側のα−Al 2 O 3 単層を含む、被覆切削工具に関する。内側のα−Al 2 O 3 多層の厚さは、内側のα−Al 2 O 3 多層の厚さと外側のα−Al 2 O 3 単層の厚さの合計の35%以下である。内側のα−Al 2 O 3 多層と外側のα−Al 2 O 3 単層の厚さの合計は、好ましくは2〜15μmである。前記α−Al 2 O 3 多層は、交互のα−Al 2 O 3 の副層と、TiCO、TiCNO、AlTiCOまたはAlTiCNOの副層からなり、前記α−Al 2 O 3 多層は、少なくとも5つのα−Al 2 O 3 の副層を含む。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021169664A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2021106302
申请日：2021-06-28
申请人： インテグリス・インコーポレーテッド
发明人： リン, イクアン , ウォルドフリード, カルロ , ホウ, チアナン
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40
摘要： 【課題】保護フッ素化イットリウム金属酸化物膜を含む半導体製造部品、及び膜を形成する方法を提供する。 【解決手段】保護フッ素化イットリウム、金属酸化物膜を含む半導体製造部品、及び最初に原子層堆積(ALD)を介して部品の表面上にイットリウムを含有する金属酸化物膜を堆積させ、引き続いて低い処理温度でイットリウムを含有するALD金属酸化物膜をフルオロアニーリングして、半導体製造部品の表面上に保護フッ素化イットリウム金属酸化物膜を形成することによって、半導体製造部品の表面上に保護フッ素化イットリウム金属酸化物膜を形成する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021163946A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020067699
申请日：2020-04-03
申请人： 株式会社FLOSFIA
发明人： ▲高▼橋 勲
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/368 , H01L21/304 , C23C16/40 , C23C16/02 , C30B29/16 , C30B25/18 , H01L21/365
摘要： 【課題】本発明の目的の1つとして、工業的有利に、基板および/または結晶層に由来する潜傷を低減した結晶膜の製造方法を提供する。 【解決手段】潜傷を有する基体および/または結晶層を対象物として、表面処理剤を用いて表面処理して前記潜傷を低減または消滅させること、前記表面処理した対象物の表面の少なくとも一部を結晶成長面として結晶成長させることにより結晶膜を成膜すること、を含み、前記表面処理を、前記表面処理剤を含む霧化液滴を用いて行うことを特徴とする、結晶膜の製造方法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021161520A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020066734
申请日：2020-04-02
申请人： 株式会社ADEKA
IPC分类号： C23C16/40
摘要： 【課題】融点が低いリチウム化合物を含有し、且つ高品質な薄膜を製造することができる薄膜形成原料を提供すること。 【解決手段】下記一般式(1)で表されるリチウム化合物を含有する薄膜形成原料。 【化1】 (式中、R 1 は、炭素原子数2〜5のアルキル基、水素原子の一部を−NR 4 R 5 で置換した炭素原子数1〜2のアルキル基又は水素原子の一部を−OR 6 で置換した炭素原子数1〜2のアルキル基を表し、R 2 は、水素原子又は炭素原子数1〜3のアルキル基を表し、 R 3 は、炭素原子数1〜3のアルキル基を表し、R 4 、R 5 及びR 6 は、各々独立して、炭素原子数1〜3のアルキル基を表し、リチウム化合物の炭素原子数は8以下である。但し、R 4 及びR 5 のうち一方はメチル基ではない。R 1 が、水素原子の一部を−NR 4 R 5 で置換した炭素原子数1〜2のアルキル基である場合、R 2 は、炭素原子数1〜3のアルキル基である。) 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021161012A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020067700
申请日：2020-04-03
申请人： 株式会社FLOSFIA
发明人： ▲高▼橋 勲
IPC分类号： C30B33/12 , C30B29/16 , C30B25/18 , C23C16/02 , C23C16/40 , H01L21/306 , H01L21/302 , H01L21/205 , H01L21/208 , C30B29/20
摘要： 【課題】高品質な結晶膜を得ることが出来るように、工業的有利にサファイア基板の表面を改質する表面処理方法の提供。 【解決手段】サファイア基板を、表面処理剤を用いて表面処理する方法であって、表面処理剤24aがハロゲン化水素酸を少なくとも含む、サファイア基板20の表面処理方法。表面処理剤が霧化液滴24bの形態である、サファイア基板の表面処理方法。霧化液滴が、表面処理剤を霧化して浮遊させ、ついで、キャリアガスを用いて搬送されるものであるサファイア基板の表面処理方法。サファイア基板を、ハロゲン化水素酸を少なくとも含む表面処理剤を用いて表面処理すること、表面処理したサファイア基板の表面の少なくとも一部を結晶成長面として結晶成長させることにより、結晶膜を成膜すること、を含む、結晶膜の製造方法。結晶膜がコランダム構造を有する、結晶膜の製造方法。 【選択図】図1
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