发明专利
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）： JP6300316B2 - Semiconductor device
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申请号： JP2014074628申请日： 2014-03-31
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公开(公告)号： JP6300316B2公开(公告)日： 2018-03-28
- 发明人: 中島 栄
- 申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 申请人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 代理商 狩野 芳正
- 优先权： JP2013144380 2013-07-10
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L21/336 ; H01L29/78
公开/授权文献
- JP2015035578A 半導体装置 公开/授权日：2015-02-19
信息查询
IPC分类:
