发明专利
JP6416062B2 半導体装置
审中-公开
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）： JP6416062B2 - Semiconductor device
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申请号： JP2015178582申请日： 2015-09-10
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公开(公告)号： JP6416062B2公开(公告)日： 2018-10-31
- 发明人: 北川 光彦
- 申请人： 株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 申请人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 专利权人： 株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 当前专利权人： 株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 代理商 日向寺 雅彦
- 主分类号： H01L29/12
- IPC分类号： H01L29/12 ; H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L21/336 ; H01L29/786 ; H01L29/861 ; H01L29/868 ; H01L21/329 ; H01L29/78
公开/授权文献
- JP2017054968A 半導体装置及びその駆動方法 公开/授权日：2017-03-16
信息查询
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