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    炭化珪素半導体装置
    1.
    发明专利
    炭化珪素半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021197420A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020101929

    申请日：2020-06-11

    申请人： 富士電機株式会社

    发明人： 大瀬 直之

    IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861

    摘要： 【課題】信頼性の高い炭化珪素半導体装置を提供すること。 【解決手段】JBS構造のSBDは、半導体基板30のおもて面側に、p型領域13およびFLR21にそれぞれオーミック接合するニッケルシリサイド膜33と、n - 型ドリフト領域にショットキー接合するチタン膜31と、を備える。ニッケルシリサイド膜33の厚さt10は、300nm以上700nm以下である。ニッケルシリサイド膜33は、半導体基板30のおもて面から離れる方向に半導体基板30のおもて面から突出する第1部分33aと、深さ方向に半導体基板30のおもて面から半導体基板30の内部へ突出する第2部分33bと、を有する。ニッケルシリサイド膜33の第1部分33aの厚さt11と第2部分33bの厚さt12とは等しい。ニッケルシリサイド膜33の第2部分33bの幅w12は、ニッケルシリサイド膜33の第1部分33aの幅w11よりも広い。 【選択図】図4

    半導体装置
    6.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021192461A

    公开(公告)日：2021-12-16

    申请号：JP2021152878

    申请日：2021-09-21

    申请人： ローム株式会社

    发明人： 長尾 勝久 ,  川本 典明

    IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

    摘要： 【課題】簡単な構造で、複数の半導体装置を並列に接続して同時に使用してもノイズの発生を低減できる半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、半導体層に形成された複数のセルと、複数のセルを制御するための電気接続用の制御パッドと、制御パッドを連続して囲むように、制御パッドの周囲に形成されたパッド周辺部と、制御パッドの下方に部分的に配置されたポリシリコンからなる内蔵抵抗であって、制御パッドと前記パッド周辺部とを電気的に接続する内蔵抵抗と、電気接続用の複数のソースパッドとを備え、制御パッドとパッド周辺部との間に空間が形成されるように、制御パッドは同じ層においてパッド周辺部から物理的に分離されており、制御パッドは、前記半導体層の縁部周辺に形成されており、接続部材が接続される接続部分は、制御パッドの表面上に選択的に形成されている。 【選択図】図3

    パワー半導体素子及びその製造方法
    7.
    发明专利
    パワー半導体素子及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021192424A

    公开(公告)日：2021-12-16

    申请号：JP2021066700

    申请日：2021-04-09

    申请人： EASTWIND合同会社

    发明人： 三井田 高 ,  倉知 郁生

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/425 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76 ,  H01L29/12

    摘要： 【課題】パワー半導体素子において、高耐圧、大電流が可能で低オン電圧、低スイッチング損失、低ノイズを実現する。酸化ガリウムドリフト層を形成した第一導電型の酸化ガリウム基板と第二導電型のSi基板を接合させて少なくともSi基板側から酸化ガリウムドリフト層の一部に達するトレンチゲートを設け、高チャネル移動度を有するSi−MOSFETと高耐圧の酸化ガリウムドリフト層を組み合わせたトランジスタ構造において、トレンチ底部のゲート酸化膜は電界ストレスを受け、絶縁破壊のリスクが大きい。 【解決手段】トレンチゲートの下部に窒素イオン注入による電流分離層を形成することでドレインに高電圧印加時にゲート酸化膜の絶縁破壊を防止する。 【選択図】図1

    パワー半導体素子およびその製造方法
    9.
    发明专利
    パワー半導体素子およびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021190711A

    公开(公告)日：2021-12-13

    申请号：JP2021088568

    申请日：2021-05-26

    申请人： ヒュンダイ・モービス・カンパニー・リミテッド

    发明人： ハ ジョン モク ,  ウー ヒュク ,  キム シン ア ,  キム タエ ヨプ

    IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

    摘要： 【課題】電界集中を緩和しつつチャネル密度を高めることができる炭化シリコンのパワー半導体素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】パワー半導体素子100−1は、炭化シリコンの半導体層105の表面から内部に一方向に伸びた少なくとも1つのトレンチ116と、トレンチの内壁上に形成されたゲート絶縁層118と、ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極層120と、第1導電型を有するドリフト領域107と、ドリフト領域の少なくとも一部に接し、ゲート電極層の底面を囲むように、ゲート電極層より深く半導体層に形成され、第2導電型を有するウェル領域110と、ウェル領域内に形成され、第1導電型を有するソース領域112と、ドリフト領域とソース領域との間のゲート電極層の一側の半導体層に形成され、反転チャネルが形成される第2導電型を有する少なくとも1つのチャネル領域110aと、を含む。 【選択図】図1

    半導体装置
    10.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021190683A

    公开(公告)日：2021-12-13

    申请号：JP2020198773

    申请日：2020-11-30

    申请人： 富士電機株式会社

    发明人： 西村 武義

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L27/098 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L21/8234

    摘要： 【課題】バッテリー逆接続時大電流が流れ破壊されることを防止しオン抵抗の増加を抑制することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置70はエンハンスメント型MOSFET80と接合型FET90とを備える。MOSFET80は第1導電型の第1の半導体基板1aと、第1導電型の第1の第1半導体層2aと、第2導電型の第1の第2半導体領域5aと、第1導電型の第1の第1半導体領域6aと、第1のゲート絶縁膜7aと、第1のゲート電極8と、第1の第1電極10と、第1の第2電極11aとを有する。FET90は、第1導電型の第2の半導体基板1bと、第1導電型の第2の第1半導体層2bと、第1導電型の第2の第1半導体領域6bと、第2導電型の第2の第2半導体層4と、第2のゲート電極44と、第2の第1電極12と、第2の第2電極11bと、を有する。第1の第2電極11aと第2の第2電極11bとが電気的に接続されている。 【選択図】図1